一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片

    公开(公告)号:CN107195708A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710205252.1

    申请日:2017-03-31

    CPC classification number: H01L31/11 H01L31/03044 H01L31/035236 H01L31/18

    Abstract: 本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法,该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元,集电极可以作为神经刺激的感知探测端。神经刺激信号在器件内部传输是基于光子而非传统的质子或电子。由于结构和材料的特性,刺激信号在内部传输的过程中会被存储一定的时间,模拟了人脑对信息的记忆功能。晶体管可看作一对共N极的PN结,由于结构相同,所以发射极和集电极功能可以互换,即信息可以双向传输。本发明在信息传输的过程中给作为光电探测的一端加载偏置电压使其处于点亮的状态,模拟了人脑对于不同信息选择性的记忆或者不记忆,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。

    一种基于置信度传播算法的深度图提取方法及装置

    公开(公告)号:CN105335968A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201510670118.X

    申请日:2015-10-13

    CPC classification number: G06T2207/10028 G06T2207/10052

    Abstract: 本发明公开了一种基于置信度传播算法的深度图提取方法及装置,该方法包括:采用装有编码光圈的相机拍摄场景实物得到离焦模糊图像;提取离焦模糊图像的边缘并计算其深度值;采用置信度传播算法将图像边缘的深度值传播到其他不包含边缘的区域得到多层次的深度图。该装置包括:离散模糊图像获取模块、边缘提取模块、深度图提取模块。本发明通过产生稳定的点光源,利用编码光圈对图像深度的高区分度并使用置信度传播算法建立非边缘区域像素点之间的联系,提高了深度图提取精度。

    基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN107195690A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710192058.4

    申请日:2017-03-28

    CPC classification number: H01L29/8613 H01L29/66204

    Abstract: 本发明提供一种基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法,利用各向异性硅刻蚀技术,剥离硅衬底层,得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片,进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得超薄的悬空器件。本发明中,两个p‑n结量子阱器件都可以同时作为光源和探测器,中间通过悬空的氮化镓波导实现光耦合。由于两个p‑n结量子阱器件材料和结构相同,且氮化镓材料有既可发光也可探测光的特性,在电注入时,基于能够同时发光并探测外部入射光的物理机制,就能够实现同时同频全双工通信。最终,基于发光材料、感光材料和波导材料的一致性,本发明提出的全双工通信芯片可以单片集成在微米级别的硅衬底上。

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