公开(公告)号：CN107195708A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710205252.1

申请日：2017-03-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  李远航 ,  杨永超 ,  朱桂遐 ,  袁炜 ,  袁佳磊

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/11 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/11 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法，该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元，集电极可以作为神经刺激的感知探测端。神经刺激信号在器件内部传输是基于光子而非传统的质子或电子。由于结构和材料的特性，刺激信号在内部传输的过程中会被存储一定的时间，模拟了人脑对信息的记忆功能。晶体管可看作一对共N极的PN结，由于结构相同，所以发射极和集电极功能可以互换，即信息可以双向传输。本发明在信息传输的过程中给作为光电探测的一端加载偏置电压使其处于点亮的状态，模拟了人脑对于不同信息选择性的记忆或者不记忆，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。

公开(公告)号：CN105633194A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610132116.X

申请日：2016-03-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  袁威 ,  高绪敏 ,  蔡玮 ,  白丹 ,  许银 ,  朱桂遐 ,  袁炜

IPC: H01L31/173 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/173 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856

Abstract: 本发明提供一种基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p-n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，晶体管一端作为LED光源，另一端作为光电探测器，由于两个器件之间优异的光谱匹配特性，光电探测器能够感知LED器件发出的光，将光信号转成电信号输出，从而实现器件的光致晶体管特性；该晶体管作为两个共地的LED光源，独立地传输被调制的光信号，实现可见光无线通信的双通道发射；本发明晶体管可以作为两个共地的光电探测器，独立地感知空间光信号，实现可见光无线通信的双通道探测。

公开(公告)号：CN107195690A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710192058.4

申请日：2017-03-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  杨永超 ,  高绪敏 ,  袁佳磊 ,  李远航 ,  朱桂遐 ,  袁炜

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L29/66204

Abstract: 本发明提供一种基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，两个p‑n结量子阱器件都可以同时作为光源和探测器，中间通过悬空的氮化镓波导实现光耦合。由于两个p‑n结量子阱器件材料和结构相同，且氮化镓材料有既可发光也可探测光的特性，在电注入时，基于能够同时发光并探测外部入射光的物理机制，就能够实现同时同频全双工通信。最终，基于发光材料、感光材料和波导材料的一致性，本发明提出的全双工通信芯片可以单片集成在微米级别的硅衬底上。

公开(公告)号：CN105742383A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610103247.5

申请日：2016-02-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  高绪敏 ,  朱桂遐 ,  许银 ,  袁威 ,  蔡伟 ,  袁炜

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明公开了一种悬空p?n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p?n结量子阱器件，所述p?n结量子阱器件之间设置有隔离槽，两相邻的p?n量子阱器件通过光波导相连。本发明系统可实现平面光子信息传输以及空间多通道信号探测等多种功能，实现双通道的可见光平面光子信息传输和对空间光信号感知的倍增探测，同时能够分别独立感知空间光信号，实现三通道光信号的探测接收。

公开(公告)号：CN105742383B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610103247.5

申请日：2016-02-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  高绪敏 ,  朱桂遐 ,  许银 ,  袁威 ,  蔡伟 ,  袁炜

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件，所述p‑n结量子阱器件之间设置有隔离槽，两相邻的p‑n量子阱器件通过光波导相连。本发明系统可实现平面光子信息传输以及空间多通道信号探测等多种功能，实现双通道的可见光平面光子信息传输和对空间光信号感知的倍增探测，同时能够分别独立感知空间光信号，实现三通道光信号的探测接收。

公开(公告)号：CN105633194B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610132116.X

申请日：2016-03-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  袁威 ,  高绪敏 ,  蔡玮 ,  白丹 ,  许银 ,  朱桂遐 ,  袁炜

IPC: H01L31/173 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，晶体管一端作为LED光源，另一端作为光电探测器，由于两个器件之间优异的光谱匹配特性，光电探测器能够感知LED器件发出的光，将光信号转成电信号输出，从而实现器件的光致晶体管特性；该晶体管作为两个共地的LED光源，独立地传输被调制的光信号，实现可见光无线通信的双通道发射；本发明晶体管可以作为两个共地的光电探测器，独立地感知空间光信号，实现可见光无线通信的双通道探测。