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公开(公告)号：CN107369706A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710582067.4
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/285
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/28506 , H01L29/4958
Abstract: 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种显示用电子器件铜合金电极及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)在衬底上沉积20～1000nm厚度的铜合金薄膜作为导电主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积5～200nm厚度的纯铝薄膜作为缓冲阻挡层。步骤(1)和步骤(2)完成后可选择性在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h。所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆。本发明制备的铜合金电极具有高结合强度，低电阻率，与绝缘层兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN106449425A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610861206.2
申请日：2016-11-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L21/4846 , H01L23/49866
Abstract: 本发明公开了一种显示用电子器件高导互连电极及其制备方法。制备方法包括如下步骤：(2)在温度100-500℃的条件下进行退火；(3)在铜合金薄膜上沉积纯铜薄膜；在温度100-500℃的条件下进行退火。本发明方法所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低，制备工艺简单的特点。(1)在衬底上沉积铜合金薄膜作为粘附阻挡层；
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公开(公告)号：CN109975527A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910187208.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01N33/32
Abstract: 本发明属于电子材料墨水分析领域，公开了一种电子材料墨水可印刷性的评估方法。所述方法的具体步骤为：使用旋转流变仪测试电子材料墨水的粘温曲线、蠕变和恢复；使用液滴分析仪测试电子材料墨水的表面张力，将所得测试结果与标准条件进行对比，评估电子材料墨水的可印刷性。本发明以简便的墨水测试方法，解决了印刷电子材料墨水缺乏系统评价方法的问题，对墨水可印刷性的筛选和优化有十分显著的意义，可推动印刷电子产业的发展。
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公开(公告)号：CN108777250A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108010960A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711057219.5
申请日：2017-11-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107799608A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711112822.9
申请日：2017-11-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本发明使用电阻率较低的铜来取代传统的铝作为源漏电极材料，所得器件获得了低阻抗延迟的效果，而且通过在器件外表面沉积一层钝化层，会在有源层表面提高载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率。
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公开(公告)号：CN107369719B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710739074.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/44
Abstract: 本发明属于电子器件制备技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法。所述制备方法为：在有源层上依次沉积刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu薄膜；旋涂光刻胶，曝光显影，保留有源沟道顶部一半的光刻胶；依次刻蚀非有源沟道区的纯Cu薄膜、黏附阻挡层、刻蚀缓冲层和有源层；除去有源沟道顶部保留的光刻胶，使纯Cu薄膜暴露出来；刻蚀纯Cu薄膜层和黏附阻挡层，使其图形化形成TFT的源漏电极；除去有源沟道表面的刻蚀缓冲层；除去源漏电极表面的光刻胶。通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。
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公开(公告)号：CN108735821B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810527382.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Pr‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明通过在IZO半导体中引入Pr元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Pr‑IZO有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，在室温下实现高迁移率、高电流开关比的氧化物薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN108010960B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201711057219.5
申请日：2017-11-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN111415870A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010303112.X
申请日：2020-04-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于印刷电子技术领域，公开了一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法。将金属前驱体溶于醇类溶剂形成前驱体溶液，然后加入H2O2溶液，搅拌混合均匀后静置老化，过滤去除不溶物，超声除泡后旋涂至预处理后的基板上，退火处理，得到有源层；在有源层上制备源漏电极，得到金属氧化物TFT器件。本发明通过加入H2O2，可以解决当前溶液法制备金属氧化物TFT普遍存在的关态电流过大的问题，降低器件功耗。并可以提高薄膜的致密性，提高有源层和其它功能层的接触特性，提高TFT器件性能。
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