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公开(公告)号：CN100383989C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410009841.5
申请日：2004-11-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明设计一种在金属热沉上制备激光剥离衬底的功率型LED芯片及其制备方法，具体步骤为：在蓝宝石衬底GaN外延片上大面积蒸镀透明电极Ni/Au；在透明电极上蒸镀Ni/Ag/Ti/Au反射层；在反射层上电镀平整的、周期性的金属热沉单元，厚度50μm以上；镀金属热沉外延片在Kr准分子激光器照射下剥离蓝宝石衬底，得到n面向上的粘接在金属热沉的外延片；在n-GaN表面用离子体刻蚀，然后蒸镀n面电极，电极结构为Ti/Al/Ni/Au；把LED外延片n面贴上蓝膜，得到金属热沉支撑的GaN基LED外延片，并使得管芯单元分裂开。
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公开(公告)号：CN1983649A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510126470.3
申请日：2005-12-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和配制适当比例的一种预聚物，利用微纳米压印技术将模板上的微结构图形压印到预聚物胶体上；使预聚物胶体膜固化；小心地将形成微结构图形的聚合物薄膜从模板上剥离下来即成织构化介质膜。转贴织构化薄膜：将透明的PMMA胶涂在发光二极管衬底上；将织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上；将剥离下来的织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上；适当加温使透明的粘合胶固化。
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公开(公告)号：CN1808801A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510011195.0
申请日：2005-01-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目的，同时可以省略掉磨片、划片、裂片等大量工艺过程，简化工艺、降低成本。本发明是通过在GaN外延片的n面上电镀具有GaN基LD激光器管芯结构的厚铜，镀铜层具有于激光器管芯相同的间隔和周期，接着以铜作为解理激光器芯片时的支撑，并且作为LD芯片最终的热沉。本发明的特点在于同时解决了目前氮化镓基激光器导热、导电性能差和难以制备自然解理面的困难。
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公开(公告)号：CN1983509A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510126469.0
申请日：2005-12-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/22
Abstract: 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。
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公开(公告)号：CN1322596C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03156440.2
申请日：2003-08-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。可广泛应用于金属有机化学气相沉积技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591915A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03156440.2
申请日：2003-08-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。可广泛应用于金属有机化学气相沉积技术领域。
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公开(公告)号：CN1320972A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01118325.X
申请日：2001-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 半导体发光二极管及其制备方法,在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计,在圆台面p型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构,周期为亚微米或微米级,深度达到n型区。可用半导体光刻和干法刻蚀微加工技术或FIB两种方法制成。与在同一基片上所制同面积发光二极管比,在同样电流下发光强度增至1.6－8倍。可用于InGaN基量子阱蓝绿光发光二极管制备及各种材料系半导体和有机发光二极管的研制。
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公开(公告)号：CN100456049C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710063105.1
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法，包括如下步骤：1)根据需要，设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构；2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上，使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定性；3)在样品的待加工区域生成光子晶体或光子准晶图形结构；4)设置聚焦离子束系统的工作参数；调控聚焦离子束，得到所需刻蚀精度要求的离子束探针；在样品的待加工区域直接刻蚀出所需的二维光子晶体或光子准晶。本发明以聚焦离子束刻蚀技术的一次性工艺步骤代替了传统的亚微米加工技术的一系列工艺步骤，既简化了工艺步骤，又可灵活快捷地得到复杂多变的各种光子晶体和光子准晶。
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公开(公告)号：CN101281948A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810105178.7
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；所述蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；利用压印模板，在上述有机聚合物上形成光子晶格结构；从上述带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至所述蓝宝石衬底与所述非掺杂的GaN层分离，同时，所述非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管，可产业化应用。
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公开(公告)号：CN101257080A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810101681.5
申请日：2008-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。
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