公开(公告)号：CN1983649A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510126470.3

申请日：2005-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 章蓓 ,  包魁 ,  罗春雄 ,  陈志忠 ,  季航 ,  陈勇

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和配制适当比例的一种预聚物，利用微纳米压印技术将模板上的微结构图形压印到预聚物胶体上；使预聚物胶体膜固化；小心地将形成微结构图形的聚合物薄膜从模板上剥离下来即成织构化介质膜。转贴织构化薄膜：将透明的PMMA胶涂在发光二极管衬底上；将织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上；将剥离下来的织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上；适当加温使透明的粘合胶固化。

公开(公告)号：CN100561764C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200810105178.7

申请日：2008-04-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  章蓓 ,  包魁 ,  代涛 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；利用压印模板，在有机聚合物上形成光子晶格结构；从带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至蓝宝石衬底与非掺杂的GaN层分离，同时，非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。

公开(公告)号：CN1874012A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200510073285.2

申请日：2005-06-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  章蓓 ,  陈勇 ,  包魁 ,  徐科 ,  张国义 ,  陈志忠 ,  胡晓东

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构，例如具有结构或粗糙化的微图形，光子晶体结构等，通过在出光面上引入这种表面微结构，使得光在出射介质的界面面积得到增加，增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向，增加出射几率，进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。

公开(公告)号：CN101383480B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710121505.3

申请日：2007-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 李睿 ,  胡晓东 ,  徐科 ,  代涛 ,  陈伟华 ,  胡成余 ,  包魁 ,  王彦杰 ,  张国义

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。

公开(公告)号：CN101383480A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710121505.3

申请日：2007-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 李睿 ,  胡晓东 ,  徐科 ,  代涛 ,  陈伟华 ,  胡成余 ,  包魁 ,  王彦杰 ,  张国义

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。

公开(公告)号：CN101281948A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810105178.7

申请日：2008-04-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  章蓓 ,  包魁 ,  代涛 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；所述蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；利用压印模板，在上述有机聚合物上形成光子晶格结构；从上述带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至所述蓝宝石衬底与所述非掺杂的GaN层分离，同时，所述非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管，可产业化应用。