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公开(公告)号：CN119433485A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606061.2
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种易剥离金刚石薄膜及其制备方法，包括如下步骤：选取表面光滑的硅片作为衬底；用等离子体活化硅片表面；在活化后的硅片表面涂布纳米金刚石种晶；将涂布种晶的硅片转入MPCVD设备金刚石生长设备中，在生长金刚石膜的初期阶段，硅片表面温度低于750℃，在工艺气体中除了含氢、碳的气体外，还通入适量的含氮气体，然后调节腔压、微波功率以及气体配方，继续升温至适宜金刚石生长的温度区间，当金刚石薄膜生长到预定厚度以后，降温取出。本发明方法生长的金刚石薄膜既保持金刚石薄膜完整无裂纹，又保证了通过物理方法将金刚石薄膜从硅片上完整剥离下来，且金刚石薄膜的剥离面光滑度高，方便下一步的工业应用。
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公开(公告)号：CN119256065A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380042648.2
申请日：2023-05-23
Applicant: 港大科桥有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石微粒的物理不可克隆功能材料及其制备方法和应用，其包括：单晶硅衬底和在其上原位生长的具有硅空位色心的金刚石微粒。硅衬底上金刚石微粒的制备是随机过程，这是制造物理不可克隆功能标签的关键要求。本发明利用金刚石微粒的散射光谱及其形貌特征和空间位置关系作为金刚石物理不可克隆功能材料的指纹信息。由于金刚石材料的极耐热、机械、化学和光稳定性，本发明的高鲁棒性标签可以满足各种环境中许多实际应用的要求，在电子元件、医药包装、车辆、奢侈品等巨大的防伪市场中具有现实的商业价值。
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公开(公告)号：CN119254951A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411301229.9
申请日：2024-09-18
Applicant: 咪咕新空文化科技(厦门)有限公司 , 咪咕文化科技有限公司 , 北京大学
IPC: H04N19/102 , H04N19/172 , H04N19/503
Abstract: 本申请提供一种虚拟参考帧生成方法、装置、设备及可读存储介质，本申请的方法包括：在参考帧列表中查询第一帧和第二帧，所述第一帧与所述第二帧的时域距离等于所述第二帧与当前编码帧的时域距离，且所述第一帧和所述第二帧位于所述当前编码帧之前；在查询到所述第一帧和所述第二帧的情况下，根据所述第一帧和所述第二帧生成第一预测参考帧；在未查询到所述第一帧和所述第二帧的情况下，根据第三帧和第四帧生成第二预测参考帧；其中，所述第三帧和所述第四帧为所述参考帧列表中与所述当前编码帧的时域距离最小的帧；将所述第一预测参考帧或所述第二预测参考帧作为虚拟参考帧。如此，本方案能够提升编码性能。
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公开(公告)号：CN119208470A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411452795.X
申请日：2024-10-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种基于非晶软磁带材的Micro‑LED芯片巨量转移装置及方法，以降低Micro‑LED芯片巨量转移的难度并有效提高Micro‑LED芯片巨量转移的稳定性。本发明中的巨量转移装置包括磁性转移基板、电磁铁装置以及位于磁性转移基板下方的调整平台；调整平台朝向磁性转移基板的表面上放置有待转移的且设置于蓝膜上的多个Micro‑LED芯片，其中，Micro‑LED芯片远离蓝膜的表面上设置有磁性层；磁性转移基板包括基板以及非晶软磁带材，非晶软磁带材上开设有多个开孔，多个开孔与多个Micro‑LED芯片的位置一一相对应，非晶软磁带材固定于基板朝向调整平台的表面上；电磁铁装置与非晶软磁带材相连接且形成闭合回路以使非晶软磁带材将Micro‑LED芯片从蓝膜转移到基板上。
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公开(公告)号：CN119061461A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411314662.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种自动调节氮化镓晶体生长的坩埚装置、生长设备以及生长方法，其中，本发明中的坩埚装置包括第一坩埚、活塞以及驱动件；第一坩埚为中空结构，活塞滑动设置于中空结构内且活塞的外周边缘与第一坩埚的内侧壁密封配合，活塞与中空结构构成用于容置高温熔体的容置腔，驱动件与活塞连接并驱动活塞在中空结构内上下滑动以调节容置腔的容量；第一坩埚的内侧壁与第一坩埚的外侧壁之间还设置有溢流槽，溢流槽的顶部槽口与容置腔的顶部开口相连通。上述设计中，通过调节高温熔体的高度，能够将高温熔体表层的杂质流出高温熔体，从而有效增加氮气与高温熔体的接触面积以使氮气更快地在熔体表面解离成N离子，进而促进GaN单晶的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119041003A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411269545.2
申请日：2024-09-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶的搅拌装置、生长设备以及生长方法，其中搅拌装置包括固定架、转轴、旋转传动组件以及装载有熔体的反应釜；转轴连接有驱动件，驱动件用于驱动转轴绕其自身轴线旋转，转轴的外侧连接有至少一个第一传动轴，反应釜转动连接于第一传动轴上，并且反应釜上开设有用于供氮气输入的进气通道，固定架围绕转轴设置，并且反应釜通过旋转传动组件与固定架连接；驱动件驱动转轴旋转时，反应釜绕转轴的轴线进行公转，并且，反应釜通过旋转传动组件绕其自身轴线进行自转。通过上述设计，能够有效解决现有生长GaN单晶的搅拌装置的搅拌效果较差，导致N离子的解离速度较低，无法有效使N离子均匀分布于熔体中的技术问题。
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公开(公告)号：CN118957751A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310540694.7
申请日：2023-05-15
Applicant: 香港大学 , 北京大学东莞光电研究院 , 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种规模化制造超平多晶金刚石膜的方法，包括：(1)在表面具有金刚石籽晶的生长衬底上进行化学气相沉积生长多晶金刚石膜，其中，所述多晶金刚石膜的暴露表面为生长表面，具有第一粗糙度；与生长衬底接合的表面为掩埋表面；(2)用粘合剂将所述生长表面与转移衬底粘合；(3)将所述生长衬底去除，以使所述多晶金刚石膜的掩埋表面暴露，其中，暴露后的掩埋表面具有第二粗糙度，并且所述第二粗糙度小于第一粗糙度。本发明通过将生长的多晶金刚石膜的掩埋表面翻转过来，开发了一种新颖而简便的方法来制造价格合理、可规模化生长、超平坦且可转移的多晶金刚石膜，在实际应用中具有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN118827943A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410805953.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 咪咕视讯科技有限公司 , 北京大学
IPC: H04N13/106 , H04N13/363
Abstract: 本申请提供一种全景视频的平面映射方法、系统、设备、介质和程序产品，该方法包括：获取单目视频对应的球面全景视频；将球面全景视频按照预设投影方式映射到多个平面，获得多个平面的对应的图像数据；将映射主视角对应的图像数据进行拆分重组，得到第一映射结果；降低除映射主视角之外的其余映射视角对应的图像数据的分辨率，得到每个其余映射视角对应的第二映射结果；根据第一映射结果和第二映射结果，得到单目视频对应的第一平面映射结果。本申请在维持映射主视角高分辨率的基础上，降低其他视角分辨率，减少数据量和视频编码时的复杂性，进而提高编码效率和传输效率，节省计算资源和存储空间，在保证视频质量的同时降低码率。
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公开(公告)号：CN118516770A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410706054.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生长的旋转摇摆式装置，涉及于半导体设备技术领域。用于单晶生长的旋转摇摆式装置包括旋转组件、反应釜和第一推杆；旋转组件包括有旋转驱动件和凹型盘；方形凹槽的底壁面为向下凹入的第一曲面；反应釜的底部端面为向下凸出的第二曲面；第一曲面部分与第二曲面部分相抵接，反应釜可摆动地设置于方形凹槽；反应釜的横截面为椭圆形，椭圆形的长轴的长度为a；第一推杆靠近反应釜的一端与反应釜的中心轴线之间间隔的距离为n，n
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公开(公告)号：CN113851923B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111217165.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及激光器封装技术领域，尤指一种激光器TO封装结构，包括管座、罩设于管座的管壳、设置在管座上的管舌、激光器芯片及过渡热沉；激光器芯片通过过渡热沉与管舌连接；管舌的外表面设有相变材料层。本发明可以通过管舌上的相变材料层进行相变潜热散热，提高了激光器的散热能力；另外由于激光器芯片与管舌之间通过过渡热沉连接，过渡热沉可以消除温度变化过快而导致产生应力的情况发生，使系统保持稳定工作状态。
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