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公开(公告)号：CN1983509A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510126469.0
申请日：2005-12-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/22
Abstract: 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。
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公开(公告)号：CN100447945C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510126469.0
申请日：2005-12-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/22
Abstract: 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。
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公开(公告)号：CN100561764C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810105178.7
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；利用压印模板，在有机聚合物上形成光子晶格结构；从带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至蓝宝石衬底与非掺杂的GaN层分离，同时，非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101008681A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710063105.1
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法，包括如下步骤：1)根据需要，设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构；2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上，使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定性；3)在样品的待加工区域生成光子晶体或光子准晶图形结构；4)设置聚焦离子束系统的工作参数；调控聚焦离子束，得到所需刻蚀精度要求的离子束探针；在样品的待加工区域直接刻蚀出所需的二维光子晶体或光子准晶。本发明以聚焦离子束刻蚀技术的一次性工艺步骤代替了传统的亚微米加工技术的一系列工艺步骤，既简化了工艺步骤，又可灵活快捷地得到复杂多变的各种光子晶体和光子准晶。
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公开(公告)号：CN101383480B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
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公开(公告)号：CN101383480A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
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公开(公告)号：CN100456049C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710063105.1
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法，包括如下步骤：1)根据需要，设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构；2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上，使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定性；3)在样品的待加工区域生成光子晶体或光子准晶图形结构；4)设置聚焦离子束系统的工作参数；调控聚焦离子束，得到所需刻蚀精度要求的离子束探针；在样品的待加工区域直接刻蚀出所需的二维光子晶体或光子准晶。本发明以聚焦离子束刻蚀技术的一次性工艺步骤代替了传统的亚微米加工技术的一系列工艺步骤，既简化了工艺步骤，又可灵活快捷地得到复杂多变的各种光子晶体和光子准晶。
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公开(公告)号：CN101281948A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810105178.7
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；所述蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；利用压印模板，在上述有机聚合物上形成光子晶格结构；从上述带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至所述蓝宝石衬底与所述非掺杂的GaN层分离，同时，所述非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管，可产业化应用。
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