公开(公告)号：CN1157805C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN01118325.X

申请日：2001-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 章蓓 ,  张国义 ,  俞大鹏 ,  栾峰 ,  王大军

IPC: H01L33/00

Abstract: 半导体发光二极管及其制备方法，在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计，在圆台面p型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构，周期为亚微米或微米级，深度达到n型区。可用半导体光刻和干法刻蚀微加工技术或FIB两种方法制成。与在同一基片上所制同面积发光二极管比，在同样电流下发光强度增至1.6-8倍。可用于InGaN基量子阱蓝绿光发光二极管制备及各种材料系半导体和有机发光二极管的研制。

公开(公告)号：CN1320972A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN01118325.X

申请日：2001-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 章蓓 ,  张国义 ,  俞大鹏 ,  栾峰 ,  王大军

IPC: H01L33/00

Abstract: 半导体发光二极管及其制备方法,在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计,在圆台面p型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构,周期为亚微米或微米级,深度达到n型区。可用半导体光刻和干法刻蚀微加工技术或FIB两种方法制成。与在同一基片上所制同面积发光二极管比,在同样电流下发光强度增至1.6－8倍。可用于InGaN基量子阱蓝绿光发光二极管制备及各种材料系半导体和有机发光二极管的研制。