高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN1874012A

    公开(公告)日:2006-12-06

    申请号:CN200510073285.2

    申请日:2005-06-03

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案,提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构,具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜,间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构,例如具有结构或粗糙化的微图形,光子晶体结构等,通过在出光面上引入这种表面微结构,使得光在出射介质的界面面积得到增加,增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向,增加出射几率,进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。

    光子晶体和织构化薄膜转印提高LED出光效率的方法

    公开(公告)号:CN1983649A

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200510126470.3

    申请日:2005-12-13

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: H01L2224/16225

    Abstract: 本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法,具体包括以下步骤:研制出传统的半导体发光二极管;将半导体发光二极管管芯倒装焊;制作微纳米图形转印和织构化薄膜:用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板;选用和配制适当比例的一种预聚物,利用微纳米压印技术将模板上的微结构图形压印到预聚物胶体上;使预聚物胶体膜固化;小心地将形成微结构图形的聚合物薄膜从模板上剥离下来即成织构化介质膜。转贴织构化薄膜:将透明的PMMA胶涂在发光二极管衬底上;将织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上;将剥离下来的织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上;适当加温使透明的粘合胶固化。

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