公开(公告)号：CN1983649A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510126470.3

申请日：2005-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 章蓓 ,  包魁 ,  罗春雄 ,  陈志忠 ,  季航 ,  陈勇

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和配制适当比例的一种预聚物，利用微纳米压印技术将模板上的微结构图形压印到预聚物胶体上；使预聚物胶体膜固化；小心地将形成微结构图形的聚合物薄膜从模板上剥离下来即成织构化介质膜。转贴织构化薄膜：将透明的PMMA胶涂在发光二极管衬底上；将织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上；将剥离下来的织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上；适当加温使透明的粘合胶固化。