公开(公告)号：CN103311301A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310169244.8

申请日：2013-05-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭斐 ,  安霞 ,  武唯康 ,  冯慧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78648

Abstract: 本发明公开了一种抑制辐射引起背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中，位于SOI器件体区正下方的埋氧层的厚度在10nm以下，并且在体区正下方的埋氧层与衬底之间设置有高掺杂的埋氧电荷控制层。本发明在体区正下方的埋氧层的厚度减薄至10nm以下，辐射时该区域陷入的正电荷数量也随之减小；同时使体区内的电子遂穿入薄的埋氧层并与辐射产生的陷阱正电荷发生复合的概率增大；并且埋氧电荷控制层，降低了辐射在埋氧中的陷阱正电荷对体区电势的影响。本发明利用简单的制备方法，在不影响常规电学特性的前提下，有效的改善了SOI器件的辐射响应。

公开(公告)号：CN103278759A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310157703.0

申请日：2013-05-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  冯慧 ,  黄良喜 ,  黄如

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R19/16528 ,  G01R31/2628 ,  G01R31/2642

Abstract: 本发明公开了一种分离HCI直流应力下SOI器件阈值电压漂移量的方法，属于半导体可靠性测试领域。该方法在SOI PMOSFET栅端和漏端同时加应力偏置下将HCI直流应力下HCI效应与NBTI效应对阈值电压漂移量影响分离，分别得到HCI效应和NBTI效应对应的阈值电压漂移量。采用本发明可以有助于更好的理解在VG＝VD应力下HCI效应的退化机制，从而更好的对器件建模并更精确的预测器件的寿命。

公开(公告)号：CN102270598B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110240190.0

申请日：2011-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子，去除注入掩膜之后，利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅，最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。

公开(公告)号：CN103063995A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110322634.5

申请日：2011-10-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨东 ,  安霞 ,  张兴

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2621

Abstract: 一种预测SOI MOSFET器件可靠性寿命的方法。在不同的测试台温度下测量SOI MOSFET器件栅电阻随温度变化关系；在不同的测试台温度下对SOI MOSFET器件进行加速寿命试验，得到表征器件寿命的参数随着应力时间的退化关系，以及该参数退化至10％时的存在自热影响的寿命；利用测得的自热温度和阿伦尼斯模型对测得的器件寿命进行自热修正，得到不含自热温度对寿命影响的本征寿命；对自热引起的漏端电流变化进行自热修正；对热载流子引起的碰撞电离率进行自热修正；对偏置条件下SOI MOSFET器件的工作寿命进行预测。本发明除去了在实际的逻辑电路或AC的模拟电路中SOI MOSFET器件不会存在自热效应对寿命预测的影响，使得预测的结果更加精确。

公开(公告)号：CN102381718B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201010269030.4

申请日：2010-09-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  郭岳 ,  安霞 ,  王润声 ,  张兴

IPC: H01L21/18

CPC classification number: C23C22/34 ,  C23C22/73 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/306 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用氟化铵溶液作为钝化剂对锗基器件进行表面预处理的方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明使用氟化铵水溶液对锗基器件进行表面预处理，可以减小界面态并且能够有效抑制自然氧化层的再次生成和锗基衬底材料的外扩散现象，还可以提高金属锗化物的热稳定性。本发明简单有效地改善了锗基器件的界面特性，有利于提升锗基晶体管的性能，在不增加工艺复杂性的情况下对锗基器件进行表面钝化预处理，非常有利于工艺的集成。

公开(公告)号：CN102306625B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110259567.7

申请日：2011-09-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先对锗衬底进行清洗；随后去除衬底表面的自然氧化层；对锗衬底进行GeF4或含氟锗氢化合物和NH3或NF3的混合气体的等离子体处理，以实现淀积在锗衬底表面淀积氮化锗；淀积高K栅介质，进行退火处理。本发明充分结合氮化锗与氟离子对锗衬底表面钝化的作用，在锗衬底表面淀积氮化锗钝化层的过程中附带引入氟的等离子体处理，有效地减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效果。

公开(公告)号：CN102222687B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110171004.2

申请日：2011-06-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李志强 ,  安霞 ,  郭岳 ,  张兴

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基NMOS器件及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该锗基NMOS器件的金属源、漏和衬底之间插入两层绝缘介质材料，底层介质采用氧化铪、氮化硅或铪硅氧等高钉扎系数S介质材料；而上层介质采用二氧化钛、氧化镓或锶钛氧等低导带偏移量ΔEC介质材料。本发明可以减弱费米能级钉扎效应，降低电子势垒，进而改善锗基肖特基NMOS器件的性能。与现有的采用单层绝缘介质材料如氧化铝(Al2O3)等相比，本发明能够有效降低肖特基势垒并能保持较低的源漏电阻，在很大程度上改善了器件性能。

公开(公告)号：CN102163568B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201110053772.8

申请日：2011-03-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨东 ,  谭斐 ,  安霞 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  G06F17/50

CPC classification number: G01R31/2621 ,  H01L22/14

Abstract: 本发明公布了一种提取MOS管沿沟道电荷分布的方法，应用于MOS管中界面态与栅介质电荷分布的提取。包括：把一个MOS管加入到测试电路中，用电荷泵电流测试法测得应力前后MOS管两条漏端开路或源端开路的电荷泵电流曲线，一条为原始曲线，一条为应力后曲线；寻找原始曲线上任意一点A对应到应力后曲线上一点B，通过局部点的电荷泵电流变化量和电压的变化估算局部产生界面态电荷和栅介质层电荷量。与现有的提取分布方法相比，这种方法在能够计算机的辅助下能简单快捷提取出从漏或源端到沟道中电荷的分布，省去了大量的繁琐的反复测试，可以为器件可靠性的改进提供有效的依据。

公开(公告)号：CN102664144A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210156456.8

申请日：2012-05-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  林猛 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C23C22/58 ,  C23G1/10 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一层稳定的钝化层，为之后在清洗钝化过的锗基衬底表面上淀积high-K（高介电常数）栅介质做好准备，提高栅介质层与衬底之间的界面质量，改善锗基MOS器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102222687A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110171004.2

申请日：2011-06-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李志强 ,  安霞 ,  郭岳 ,  张兴

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基NMOS器件及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该锗基NMOS器件的金属源、漏和衬底之间插入两层绝缘介质材料，底层介质采用氧化铪、氮化硅或铪硅氧等高钉扎系数S介质材料；而上层介质采用二氧化钛、氧化镓或锶钛氧等低导带偏移量ΔEC介质材料。本发明可以减弱费米能级钉扎效应，降低电子势垒，进而改善锗基肖特基NMOS器件的性能。与现有的采用单层绝缘介质材料如氧化铝(Al2O3)等相比，本发明能够有效降低肖特基势垒并能保持较低的源漏电阻，在很大程度上改善了器件性能。