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公开(公告)号：CN106785911B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710054287.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
Abstract: 一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
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公开(公告)号：CN104502315A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410720085.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种微区荧光扫描测量系统，包括：激发光光源；激发光路部分，输入端与激发光光源连接，输出端与真空样品室相连，用于引导激光入射至真空样品室内的样品；荧光信号收集光路部分，收集样品上发出的荧光信号；微区成像光路部分，与激发光路和荧光信号收集光路相连，用于样品表面形貌的微区成像和定位；台面，激发光路部分和荧光信号收集光路部分置于台面上；二维电动平移系统，带动台面作二维扫描运动；真空样品室，用于放置样品；真空泵，用于保持真空样品室真空度；低温系统和温控装置，保持真空样品室真空度以及维持样品室处于需要的低温环境；光栅光谱仪，用于荧光信号的处理；CCD探测器，用于荧光信号的采集。
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公开(公告)号：CN103278507A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310174323.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料弹光系数的装置及方法，该装置沿光路依次包括光源、斩波器、起偏器、相位调制器、检偏器、光谱仪、光电探测器、信号采集系统和计算机控制系统，光源发出的光经过斩波器后变成强度周期性调制的光、经过起偏器后变成线偏振光，线偏振光经过相位调制器后照在样品上，确保近垂直入射，反射光经过检偏器后经过光谱仪最后被光电探测器接收，通过信号采集系统利用计算机控制系统进行控制和数据采集。本发明采用反射差分光谱，对样品施加连续可调的单轴应变；根据半导体材料平面内两个互相垂直的晶向反射系数的差异，从而得到折射率和吸收系数差异；利用晶体弹光系数矩阵和施加的单轴应变，得到弹光系数随光波波长的变化。
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公开(公告)号：CN100468802C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610171666.9
申请日：2006-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化铟和砷化镓的纳米结构，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，以避免衬底上的缺陷；一第一势垒层，该第一势垒层制作在缓冲层上，起到限制载流子作用；一铟或镓的第一液滴层，该铟或镓的第一液滴层制作在第一势垒层表面；一第二势垒层，该第二势垒层制作在铟或镓的液滴层的上面，保持原来的温度生长，以避免破坏纳米结构；一第三势垒层，该第三势垒层制作在第二势垒层上，采用高温生长，以得到好的晶体质量；一铟或镓的第二液滴层，该铟或镓的第二液滴层制作在第三势垒层表面，以便于表面形貌的表征。
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公开(公告)号：CN100460854C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510012173.6
申请日：2005-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体晶片测量技术领域，特别是一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法。该方法利用了偏振调制光谱技术，通过测量材料表面内相互垂直的两个方向上反射系数的各向异性光谱，根据光谱中在带隙能量或者其它临界点能量附近处的各向异性信号强弱，从而得到材料表面亚损伤的信息。该测试方法对于材料不具有损伤性，测试过程简单快捷，测试精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271933A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710064588.7
申请日：2007-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种量子点－阱红外探测器结构，包括：一半绝缘GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在半绝缘GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上的一侧，在GaAs底接触层上的另一侧形成一台面；一10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层制作在下GaAs隔离层上，该10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层是形成光电流并最终实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层上；一上电极制作在GaAs顶接触层上的中间部位，该上电极可以实现探测器进行外加电压；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以实现探测器进行外加电压。
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公开(公告)号：CN1896718A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200510012173.6
申请日：2005-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体晶片测量技术领域，特别是一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法。该方法利用了偏振调制光谱技术，通过测量材料表面内相互垂直的两个方向上反射系数的各向异性光谱，根据光谱中在带隙能量或者其它临界点能量附近处的各向异性信号强弱，从而得到材料表面亚损伤的信息。该测试方法对于材料不具有损伤性，测试过程简单快捷，测试精度高。
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公开(公告)号：CN1796593A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410098996.0
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备用于半导体技术领域金属铪薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN103278452A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310165677.6
申请日：2013-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用非偏振光调控自旋极化电子的系统及方法，该系统包括激发光光路、辅助光光路和测量电路，其中，激发光光路的圆偏振激发光垂直入射到样品的中心位置，辅助光光路的非偏振辅助光斜入射到样品的中心位置，测量电路对样品产生的光生电压信号进行测量，得到左圆偏振光和右圆偏振光于样品上产生的电压之差并输出。利用本发明，解决了实验操作复杂、调控效率低等问题，从而达到了便捷高效、灵活操作的目的。
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公开(公告)号：CN101539505B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810102203.6
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法。所述方法包括选取一压电陶瓷致动器，所述压电陶瓷致动器能够通过对改变压电陶瓷的偏压调节所施加的应力；将两个“U”形紫铜帽固定在所述压电陶瓷致动器两端，用于固定样品和导热；使用一紫铜导热丝连接在一所述紫铜帽上，用于实现均匀迅速导热；使用强力胶将半导体样品两端粘结在两个“U”形铜块上；改变压电陶瓷致动器上压电陶瓷的偏压，对所述半导体样品施加连续可调单轴应力。该方法中，单轴应力的大小连续双向可调，可测量，样品降温迅速准确，装置所占体积小，操作简便，可以与低温装置完美结合。
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