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公开(公告)号：CN106785911B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710054287.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
Abstract: 一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
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公开(公告)号：CN105624792B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610173297.0
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。
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公开(公告)号：CN106785911A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710054287.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
Abstract: 一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
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公开(公告)号：CN105624792A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610173297.0
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C30B29/42 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/64
Abstract: 本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。
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