公开(公告)号：CN104357805A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410641935.8

申请日：2014-11-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 胡强 ,  李晋闽 ,  王军喜 ,  曾一平 ,  路红喜 ,  伊晓燕 ,  马平 ,  魏同波 ,  闫建昌 ,  纪攀峰

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4581 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明公开了一种MOCVD设备的石墨盘，其包括至少一个片坑，所述片坑面积大于衬底面积，且为衬底面积的整数倍，所述至少一个片坑边缘具有与衬底的角相吻合的凸角，且一定数量的衬底紧密排列后正好覆盖住所述至少一个片坑。本发明提出的石墨盘上衬底和衬底之间无间隔，整个石墨盘只有一个巨型片坑，或者是只有很少几个间隔将整个石墨盘分成几个巨型片坑。无间隔的设计能够大幅度提高石墨盘的利用率。同时，采用的衬底尽量用较小的倒角或无倒角。因此能够使得巨型片坑内的方形衬底排列的更加紧密，防止片子之间有空隙。如果有空隙，和高出的边沿一样也会引起湍流，影响气流的稳定性，从而影响外延样品的晶体质量。

公开(公告)号：CN102969410A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210505214.5

申请日：2012-11-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 羊建坤 ,  魏同波 ,  胡强 ,  霍自强 ,  段瑞飞 ,  王军喜

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种制备GaN厚膜垂直结构LED的方法。该方法包括：在衬底的抛光面制备掩模图形，该掩模图形将衬底的抛光面分割为若干个分离的区域，得到图形化的衬底；在图像化的衬底上沉积n型掺杂的GaN厚膜，该GaN厚膜的厚度应当大于掩膜图形的厚度；以及在GaN厚膜上外延生长多周期量子阱LED。本发明通过GaN厚膜分块生长，释放了由晶格失配和热失配引起的应力，解决了二次外延中衬底开裂问题，降低了衬底的翘曲度，有利于后续的激光剥离衬底和芯片制作工艺。

公开(公告)号：CN103647008A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310750779.4

申请日：2013-12-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 羊建坤 ,  魏同波 ,  霍自强 ,  张勇辉 ,  胡强 ,  段瑞飞 ,  王军喜

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力，实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。

公开(公告)号：CN103489752A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310444715.1

申请日：2013-09-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王文军 ,  李晋闽 ,  王军喜 ,  马平 ,  纪攀峰 ,  郭金霞 ,  孔庆峰 ,  胡强

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/18 ,  B28D5/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/60 ,  C30B29/64 ,  C30B29/66 ,  C30B33/00 ,  H01L22/20 ,  H01L2223/54493

Abstract: 一种截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法，包括如下步骤：步骤1：在截面为多边形的晶棒上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一特征；步骤2：在具有第一特征的柱面上沿着晶棒轴向平行于棱边制做一个微型沟槽，作为表面取向标识的第二特征，将晶棒切片，制作成多边形衬底片；步骤3：利用第一特征和第二特征的组合，对多边形衬底片的表面取向进行标识，完成对晶棒及衬底片表面取向的标识。本发明具有简单可靠、易于实现的优点。

公开(公告)号：CN102492937A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110451659.5

申请日：2011-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冉军学 ,  胡强 ,  梁勇 ,  胡国新 ,  王军喜 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: C23C16/455

Abstract: 一种用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头，包括：一混气室，该混气室为一桶状，在混气室的上面或侧面连通有多个进气通道；一冷却匀气喷头，固接于混气室的下面。其中冷却匀气喷头包括：一上盖板、一下盖板和侧壁，该上盖板、一下盖板和侧壁构成密封的空间，该上盖板和下盖板之间贯通有多个进气通道，该进气通道的周围及上盖板和下盖板之间为冷却通道。

公开(公告)号：CN102034693A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910235335.0

申请日：2009-09-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 胡强 ,  段瑞飞 ,  魏同波 ,  杨建坤 ,  霍自强 ,  曾一平

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

Abstract: 一种在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法，包括以下步骤：步骤1：在C面蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；步骤2：利用常规光刻技术在淀积二氧化硅或氮化硅膜的C面蓝宝石衬底上光刻出沿着[11-20]方向的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形；步骤3：通过湿法刻蚀，将光刻的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形转移到衬底上；步骤4：腐蚀去掉二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到清洁的蓝宝石图形衬底；步骤5：直接采用氢化物气相外延系统在所得到的蓝宝石图形衬底上外延生长GaN厚膜，完成制备。