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公开(公告)号：CN106067651A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610561580.0
申请日：2016-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 一种基于分布布拉格反射激光器的啁啾微波产生装置包括任意波形发生器，用于提供随时间变化的电信号；分布布拉格反射激光器，与所述波形发生器电性连接，用于依据所述随时间变化的电信号产生啁啾激光；可调谐单模激光器，用于产生可调谐单模激光；耦合器，与所述分布布拉格反射激光器、所述可调谐单模激光器连接，用于将所述分布布拉格反射激光器发出的啁啾激光与所述可调谐单模激光器发出的可调谐单模激光耦合；以及光电探测器，接收耦合后的激光，并生成啁啾微波，该啁啾微波产生装置可以产生形状、周期和带宽可调的以及具有超高的时间带宽积和压缩比的啁啾微波。
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公开(公告)号：CN103177939B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310068749.5
申请日：2013-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层，完成硅基半绝缘III-V族材料的制备。本发明采用锗层从硅过渡到III-V层，然后通过低温的砷化镓层获得高的晶格质量；本发明还采用掺铁InGaP层，获得高阻的III-V族层。
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公开(公告)号：CN103311106B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310176608.5
申请日：2013-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , C30B25/18
Abstract: 一种低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，清洗；步骤5：将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在样品表面生长砷化镓盖层，完成材料的制备。本发明可以解决硅衬底向III-V族材料过渡问题，为硅基砷化镓光电子和微电子器件奠定衬底基础。
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公开(公告)号：CN103532014B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310529374.8
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯表面生长包层和电接触层材料；在反馈区、相位区及增益区的包层及电接触层上制作倒台浅脊波导结构，其波导侧壁为(111)A晶面；在电接触层上刻蚀电隔离沟，同时对隔离沟进行离子注入，在增益区和相区、相位区和反馈区之间实现电隔离。本发明在提高注入载流子浓度的同时保证反馈区具有较低的串联电阻，有利于增大器件波长调谐范围及提高波长调谐灵敏度。
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公开(公告)号：CN104617486A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410613588.8
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/065
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104319630A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410593915.8
申请日：2014-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法，包括如下步骤：在SOI片的顶层硅上制作硅波导；在制作完硅波导的SOI片上制作石墨烯选区光栅，形成基片；进行金属剥离，得到键合前的SOI部分；在一衬底上依次外延生长下分离限制层、有源区和上分离限制层，形成外延片；刻蚀脊形波导；蒸镀一层金属，金属剥离，得到光耦合窗口和金属电极；减薄衬底，制作背金属电极；利用选区金属键合，完成制作。本发明工艺简单，低散射损耗，是纯增益的DFB硅基混合激光器单模效果好。
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公开(公告)号：CN103647217A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706406.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明公开了一种既可以呈现晶闸管电学特性又可以呈现激光器光学特性的PiNiN结构晶闸管激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的晶闸管激光器中引入重掺杂N层和重掺杂P层，以及无掺杂的i层，在获得晶闸管电学特性的同时，可以获得高功率和低阈值的激光器光学特性。
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公开(公告)号：CN103346092A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310306847.8
申请日：2013-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法，包括：在清洗好的硅衬底上生长锗层；在锗层上依次生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；对高温砷化镓层的表面进行抛光；退火后生长MOSFET结构，该MOSFET结构包括依次生长的GaAs缓冲层、InGaP层、InGaAs沟道层、InGaP刻蚀停止层和GaAs接触层；在一个基本单元ABCD内选区刻蚀长方形EFGH到InGaP刻蚀停止层；进行图形刻蚀InGaP刻蚀停止层、InGaAs沟道层和InGaP层，刻蚀深度到达GaAs缓冲层的表面，在EFGH的位置中的InGaAs沟道层形成有效沟道；选择性湿法腐蚀掉有效沟道下方的InGaP层；在悬空的有效沟道的周围沉积Al2O3栅；分别制作源电极、漏电极、栅电极，完成器件的制备。
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公开(公告)号：CN103311807A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310230999.4
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层；步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区；步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对；步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层；步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅；步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层；步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；步骤8：在有源波导波导上制作P电极；步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103258796A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310176286.4
申请日：2013-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；将其放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；再将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；在高温砷化镓层上生长砷化镓缓冲层和InGaP半绝缘层；在InGaP半绝缘层上生长nMOSFET结构；在nMOSFET结构上采用PECVD技术生长二氧化硅层；从二氧化硅层的上表面选区向下刻蚀，刻蚀深度到达锗层内，形成台面，未刻蚀的区域为III-V族区，台面部分为锗区；在III-V族区和锗区之间以及同一区不同器件区域之间制作隔离绝缘墙；在nMOSFET结构上以及锗层的台面上进行源、栅和漏工艺，完成CMOS的制备。
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