-
公开(公告)号：CN101667716A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810119582.X
申请日：2008-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)，由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO 2 掩膜(8)，P电极(9)，出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。
-
公开(公告)号：CN116435405A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310197388.8
申请日：2023-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种雪崩光电探测器的制备方法，包括：利用气相外延法在p+型衬底表面依次生长本征层、场控层、倍增层；在倍增层表面注入磷离子得到n+型欧姆接触层，形成工作区；工作区包括本征层、场控层、倍增层和n+型欧姆接触层；对工作区进行刻蚀，使其在p+型衬底表面形成台面；在台面的表面生长钝化层；在钝化层中形成上端电极；在p+型衬底背面形成下端电极。该方法通过气相外延法连续生长本征层、场控层、倍增层，有效保证工作区的均一性，提高器件的整体性能；且该方法通过刻蚀台面有效降低相邻器件间的串扰，简化雪崩光电探测器的结构，易于制备。
-
公开(公告)号：CN113629159B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110905573.9
申请日：2021-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及制备方法，该探测器包括：SOI晶片；脊形单模传输波导；吸收层，具有缺陷能级，外延形成于单模传输波导上；波导与吸收层之间通过倏逝波进行光的耦合；倍增层，形成于吸收层中；P型电极接触层，形成于倍增层中；N型电极接触层，形成于吸收层的除倍增层以外的区域中；P型和N型电极，形成于P型和N型电极接触层上。本发明利用离子注入在吸收层硅上形成缺陷能级，可提高其在红外2‑3μm波段的吸收；利用倏逝波耦合方式，解决响应速度和量子效率之间的矛盾；利用缺陷硅及其垂直的雪崩探测器结构，提高器件的量子效率；易于与硅基CMOS器件集成，可促进硅探测器在红外波段的应用。
-
公开(公告)号：CN103199156B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310109012.3
申请日：2013-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种InSb晶片与Si晶片键合的方法。该方法包括：步骤A，将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗，而后用去离子水清洗；步骤B，将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗；步骤C，将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗；步骤E，将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合，而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理，以完成InSb晶片和Si晶片的键合。本发明InSb晶片与Si晶片键合的方法工艺简单，具有较强的实用性。
-
公开(公告)号：CN102110594B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010595700.1
申请日：2010-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的GaAs外延片，去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶，得到一定厚度的金属条；清洗Si外延片，去除表面的有机物；采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理，将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水气；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了GaAs与Si的低温金属键合，并可以推广到III-V族与III-V族(或IV族的Si、Ge等材料)的键合。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102110594A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010595700.1
申请日：2010-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的GaAs外延片，去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶，得到一定厚度的金属条；清洗Si外延片，去除表面的有机物；采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理，将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了GaAs与Si的低温金属键合，并可以推广到III-V族与III-V族(或IV族的Si、Ge等材料)的键合。
-
公开(公告)号：CN101677057A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810222336.7
申请日：2008-09-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理；步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气；步骤4：对键合后的晶片进行减薄；步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理；步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。
-
公开(公告)号：CN100382347C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510086639.7
申请日：2005-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第二GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。
-
公开(公告)号：CN119855259A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411790055.7
申请日：2024-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F30/225 , H10F30/29 , H10F71/00 , H10F77/124 , H10F77/12
Abstract: 本发明提供一种雪崩光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器和光电子材料技术领域，该雪崩光电探测器自下而上依次包括：InP衬底、第一欧姆接触层、缓冲层、倍增层、电荷控制层、渐变层、吸收层、第二欧姆接触层以及包层；其中，倍增层采用AlGaAsSb制成；渐变层采用Al组分渐变、In的组分保持不变的InxAlyGa1‑x‑yAs制成；吸收层采用多组周期交替层叠生长的InxGa1‑xAs和GaAsySb1‑y制成。本发明可以实现拓展波长的短波红外探测和较高的信噪比，并有效减少带隙差异引起的载流子捕获，减少界面处的晶格应变，从而降低缺陷密度，优化载流子从吸收层到倍增层的注入效率，因而提高器件性能。
-
公开(公告)号：CN118673718A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410849447.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种多层光学增透膜处理方法，包括：获取多个初始多层光学增透膜，其中，每一初始多层光学增透膜通过PECVD进行生长，每一初始多层光学增透膜包括多个第一参数与对应于PECVD生长的第二参数；基于第一参数与第二参数，确定每一初始多层光学增透膜的第三参数；基于每一初始多层光学增透膜的第三参数适应度值，得到多个第一中间多层光学增透膜；根据遗传算法，对多个第一中间多层光学增透膜中的部分第一中间多层光学增透膜进行交叉与变异操作，得到多个第二中间多层光学增透膜；将多个第二中间多层光学增透膜与未经交叉与变异操作的第一中间多层光学增透膜进行多次迭代计算，得到目标多层光学增透膜；对目标多层光学增透膜进行误差监测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
46
records
(took 0.026 seconds)
