-
公开(公告)号：CN103811609A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410056782.0
申请日：2014-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法。该氮化物发光二极管外延片包括：衬底；以及依次沉积于衬底上的氮化物材料的模板层、n型层、量子阱有源区、载流子阻挡层和p型层；其中，p型层中掺杂元素至少包括Mg；载流子阻挡层为含有Al元素的氮化物材料，且除后期由p型层渗入的Mg元素之外，其前期沉积工艺中未掺入Mg元素。本发明通过在量子阱有源区和p型层之间插入合适厚度的非有意掺杂载流子阻挡层，可以有效减少p型层中掺杂剂Mg往量子阱有源区中的扩散效应，从而提高量子阱的辐射复合效率，即有效提高氮化物LED的内量子效率。
-
公开(公告)号：CN120018545A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510226377.7
申请日：2025-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底。异质结结构层，设置于衬底的一侧。功能层，设置于异质结结构层远离衬底的一侧。源极，设置于功能层的第一侧，且至少部分嵌入异质结结构层。漏极，设置于功能层的第二侧，且至少部分嵌入异质结结构层，第一侧与第二侧为相对侧。栅极，设置于功能层远离衬底的一侧。其中，异质结结构层包括沟道层，沟道层用于为二维电子气提供传输通道，功能层包括掺杂层，掺杂层用于向沟道层提供自由电子。本公开的晶体管通过设置可以提供自由电子的掺杂层，可以增加沟道层界面处的二维电子气密度，并且不影响沟道载流子迁移率，进而可以得到高频高功率的GaN基HEMT器件。
-
公开(公告)号：CN120018544A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510226369.2
申请日：2025-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10D30/47 , H10D64/23 , H10D62/10 , H10D62/85 , H10D62/824
Abstract: 本公开提供了一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底。异质结结构层，设置于衬底的一侧。栅极，设置于异质结结构层远离衬底的一侧。源极，设置于栅极的一侧，且至少部分嵌入异质结结构层。漏极，设置于栅极远离源极的一侧，且至少部分嵌入异质结结构层。其中，异质结结构层包括沟道层，沟道层用于为二维电子气提供传输通道，源极与沟道层相接触的界面两侧的材料不同，且源极所在侧的材料的禁带宽度高于沟道层所在侧的材料的禁带宽度。本公开的晶体管通过在源极与沟道层相接触的界面的两侧设置不同的材料，且源极侧材料的禁带宽度大于沟道层侧材料的禁带宽度，存在一个导带带阶，可以为源极的电子提供额外的动能，实现对源极注入电子的加速。
-
公开(公告)号：CN118762987A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410972683.0
申请日：2024-07-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/285 , H01L21/321 , H01L29/45
Abstract: 本公开提供了一种p型氮化物欧姆电极的制备方法及电力电子器件，制备方法包括：在p型器件的外延结构上制备p型氮化物；在p型氮化物上制备金属镍层，对金属镍层进行氧等离子体氧化，使金属镍层反应形成氧化镍层；在氧化镍层上制备金属层，得到p型氮化物欧姆电极。该制备方法能够实现均匀性更好、接触电阻率更低的p型氮化物欧姆电极，并且工艺流程简单，可以应用于更大面积晶圆上的制备，适合工业化的大规模生产，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113156216B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202110445247.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种用于半桥模块寄生电感校准测试的测试装置及提高测试精度的方法，包括测试基板，设置在测试基板(1)上的以下接入口：开路校准接入口(201)与(202)及第一区域中的供电端子接入口(203)～(208)、短路校准接入口(301)与(302)及第二区域中的供电端子接入口(303)～(308)、测试电路接入口(401)与(402)及第三区域中的供电端子接入口(403)～(408)；其中，第一区域中的供电端子接入口(203)～(208)与第二区域中的供电端子接入口(303)～(308)、第三区域中的供电端子接入口(403)～(408)排布位置均一致；短路校准接入口(301)与(302)之间通过金属线(5)互连，测试基板1上的其他接入口之间均断开。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116053375A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310213819.5
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多层量子阱深紫外发光二极管及其制备方法，应用于二极管技术领域。该发光二极管，包括：衬底；外延结构层，设置于衬底上，外延结构层包括：氮化铝层，设置于衬底上；过渡层，设置于氮化铝层上；量子阱有源层，设置于过渡层上，量子阱有源层包括第一端和与第一端相对设置的第二端；钝化层，设置于量子阱有源层上；P型层，设置于过渡层与钝化层之间，并与量子阱有源层的第一端接触；N型层，设置于过渡层与钝化层之间，并与量子阱有源层的第二端接触；P型电极，设置于P型层上，并贯穿钝化层；N型电极，设置于N型层上，并贯穿钝化层。
-
公开(公告)号：CN109962406B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201711346623.4
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器由下至上依次包括：沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层；其中，所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽，所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。本公开半导体激光器及其制备方法，通过长条状沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行，即使光子谐振方向与外延材料中低穿透位错区域平行，在振荡过程中，此区域的非辐射复合较低、增益较大，可以率先实现激射，降低激射阈值，从而有效提高了半导体激光器的光学效率和性能。
-
公开(公告)号：CN109560784B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710893347.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；叉指电极位于底电极层的正上方。因此，本发明由于在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖底电极层的AlN成核层，一方面消除了底电极层在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物基兰姆波谐振器奠定了基础。
-
-
公开(公告)号：CN111952177A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010846206.1
申请日：2020-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 一种HEMT器件及制作方法，其制作方法包括：在外延片上形成介质掩膜；在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶；去除栅足窗口内的介质掩膜；形成栅电极的栅足和金属掩膜；在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶，定义非裸露区域为源漏沟道区；去除源漏沟道区以外的金属掩膜、介质掩膜、势垒层和部分沟道层；以剩余的金属掩膜作为栅电极的栅帽，完成栅电极的制备；进行再生长，分别形成再生长源区和再生长漏区；沉积金属，完成HEMT器件的制备。本发明制作方法中，结合源区和漏区的再生长掩膜，通过单层胶电子束曝光或步进式曝光即可实现传统T栅工艺难以达到的极小尺寸的栅电极，工艺简单可控。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
89
records
(took 0.035 seconds)
