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公开(公告)号：CN114984992B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210572326.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01J27/24 , C01B3/04 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本公开提供一种铯掺杂的氮化碳光催化剂的制备方法，包括：S1，将乙酸铯与含氮有机化合物加入乙醇溶液中溶解；S2，加热搅拌，将乙醇溶液蒸干，得到混合粉末；S3，将混合粉末置于带盖的氧化铝坩埚中，并在马弗炉中进行第一次热处理，得到铯掺杂的氮化碳块体；S4，将铯掺杂的氮化碳块体进行研磨，并在马弗炉中进行第二次热处理，得到铯掺杂的氮化碳光催化剂。本公开的制备方法采用乙酸铯制备铯掺杂氮化碳，具有步骤简单，成本低，产率高等优点；且与其他金属盐相比，只需要极少量的乙酸铯即可达到掺杂的目的，实现对氮化碳的活化，并提高光催化性能。
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公开(公告)号：CN115678078A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211368620.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C08J7/04 , C08J5/18 , C08L83/04 , B05D1/00 , C09D133/16
Abstract: 本发明提供一种可转移超疏水薄膜及其制备方法，包括：制备聚二甲基硅氧烷微米薄膜，聚二甲基硅氧烷微米薄膜表面具有柱状阵列；通过在聚二甲基硅氧烷微米薄膜柱状阵列的表面、侧壁及底部沉积含氟纳米聚合物，形成可转移超疏水薄膜。通过该制备方法得到的可转移超疏水薄膜，不仅具有优秀的自清洁能力和防污性能，而且可以随型紧密贴合在其它基底表面。
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公开(公告)号：CN112117217A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010991573.0
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种多路遥控器装置，包括：多路遥控器、遥控接收控制板、供电电源、多路继电器、多路通断指示灯、测试夹具，其中，多路遥控器，用于向遥控接收控制板发送切换信号，以控制不同电极线路的切换；遥控接收控制板，设置于电路板上，用于接收多路遥控器发出的用以切换不同电极线路的切换信号；多路继电器，设置于电路板上，并通过电极线路与多路通断指示灯及被测器件样品连接，用于控制电极线路通断；多路通断指示灯，用于指示电极线路通断；供电电源，设置于电路板上，包括相互独立的多路通断指示灯的供电电源和遥控接收控制板的供电电源；测试夹具包括：金属底座、测试夹和针脚，用于夹取及调整器件样品。
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公开(公告)号：CN108023018A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711220163.0
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L2251/303
Abstract: 一种基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法，该电池结构包括：阳极透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层、电子修饰层和阴极电极，该制备方法包括以下步骤：步骤1：在阳极透明导电衬底上旋涂一层CuNiOx的前驱体溶液，烧结，形成致密的CuNiOx空穴传输层；步骤2：在CuNiOx空穴传输层上旋涂一层钙钛矿的前驱体溶液，退火，形成有源层；步骤3：在有源层上旋涂有机聚合物PC61BM溶液，形成电子传输层；步骤4：在电子传输层上旋涂乙酰丙酮锆溶液，制备电子修饰层；步骤5：采用热蒸发的方式在电子修饰层上制备金属电极作为阴极，完成太阳电池的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916782B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510270129.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构，包括：一阴极透明导电衬底：一电子传输层，其制作在阴极透明导电衬底上；一金属‑半导体核壳纳米颗粒层，其制作在电子传输层上；一有源层，其制作在金属‑半导体核壳纳米颗粒层上；一空穴传输层，其制作在有源层上；一阳极电极，其制作在空穴传输层上。本发明是将金属‑半导体核壳纳米颗粒引入电子传输层与有源层界面处，既能够发挥金属表面等离激元增强光吸收的效果，又能避免金属纳米颗粒与有源层直接接触形成电荷复合中心，同时壳层与电子传输层能级匹配，有利于电荷分离和传输。能够有效提高太阳电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103762255A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410035355.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0288 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/09 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；正面接触栅电极形成在硅氧化物介质钝化层的表面；背面接触电极形成在p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。本发明在硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的制备过程加入了表面减反射结构，这可以增强它的红外吸收。
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公开(公告)号：CN102569444A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210030204.0
申请日：2012-02-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种广谱高吸收的太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥结构之间的空隙底部为沉积的银纳米颗粒；多个上表面接触栅电极，制作在尖锥结构的表面；一下电极，制作在p型或轻掺杂n型硅层的背面。本发明可以提高光吸收和光电转换效率。同时具有工艺简单，成本低等特点。同时还能利用工艺中起催化作用的银纳米颗粒来产生表面等离子波效应，一举两得。
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公开(公告)号：CN114566865B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202011351489.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离极化激元激光器及其制备方法和应用，该制备方法包括：将银纳米线分散液旋涂在衬底上，得到器件一；将器件一在惰性气氛下加热一段时间，得到器件二；在器件二上制备三氧化二铝薄膜；在三氧化二铝薄膜上旋涂染料分散液后退火，得到所述表面等离极化激元激光器。本发明所设计的器件结构可以实现具有突破光学衍射极限尺度性质的相干光源，可以将激光器器件尺寸缩小至出射激光半波长以下的尺度内，为集成光子器件的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN116487992A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310511939.3
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭球的一部分；其中，特定频率的电磁波在一维阵列形式排布的多个金属椭球的两端无法传播，在一维阵列形式排布的多个金属椭球的中间振荡。该表面等离激元激光器能够实现选模，具有低损耗，高品质因子等综合性能。
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