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公开(公告)号:CN104910918A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510219791.1
申请日:2015-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种核壳量子点结构及其制备方法,该方法包括下以下步骤:先制备一带隙宽度相对较宽的核材料CdS,然后包覆一层带隙宽度相对较窄的材料CdSe作为第一层壳层,在此基础上再包覆宽带隙材料CdZnSeS及ZnS作为第二层及第三层壳层。这种新材料相对于传统核壳结构材料有着荧光量子效率高、发光光谱连续可调等优点,无论是作为光致发光还是电致发光材料或是应用于生物领域都有着很好的前景。本发明还提供了一种核层材料合成的简易方法,其工艺简单易行,且重复性好。
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公开(公告)号:CN104993055A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201510272231.2
申请日:2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/426 , H01L51/0003 , H01L2251/301
Abstract: 一种基于表面等离激元效应的有机太阳电池结构,包括:一阳极透明导电衬底;一三明治结构的空穴传输层,其制作在阳极透明导电衬底上,该空穴传输层的中间为一层金属纳米颗粒,形成三明治结构;一有源层,其制作在空穴传输层上;一缓冲层,其制作在有源层上;一阴极,其制作在缓冲层上。本发明一方面要充分发挥等离激元近场增强的效果,增强太阳电池的光吸收,从而增大光电流;另一方面,要避免金属纳米颗粒与有源层直接接触,形成电荷复合中心,产生大的漏电流。
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公开(公告)号:CN104916782A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510270129.9
申请日:2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4206 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L2251/10
Abstract: 一种采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构,包括:一阴极透明导电衬底:一电子传输层,其制作在阴极透明导电衬底上;一金属-半导体核壳纳米颗粒层,其制作在电子传输层上;一有源层,其制作在金属-半导体核壳纳米颗粒层上;一空穴传输层,其制作在有源层上;一阳极电极,其制作在空穴传输层上。本发明是将金属-半导体核壳纳米颗粒引入电子传输层与有源层界面处,既能够发挥金属表面等离激元增强光吸收的效果,又能避免金属纳米颗粒与有源层直接接触形成电荷复合中心,同时壳层与电子传输层能级匹配,有利于电荷分离和传输。能够有效提高太阳电池光电转换效率。
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公开(公告)号:CN104882554A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201510219551.1
申请日:2015-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/0003 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化电致发光元件及其制备方法,依次包括:带有透明阳极的衬底、聚合物空穴注入层、聚合物空穴传输层、有机无机杂化有源层、无机量子点电子传输层和金属电极,其中除金属电极外其余各层均通过旋涂法形成。本发明除金属电极外的各层均采用旋涂的方式制备,大幅度降低了器件的制备难度;通过使用有机材料作为主体,无机纳米材料作为客体的有源层结构制备杂化器件,在兼顾载流子平衡的同时能有效防止无机量子点的浓度淬灭以提高有源区载流子复合的效率。
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公开(公告)号:CN104916782B
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201510270129.9
申请日:2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构,包括:一阴极透明导电衬底:一电子传输层,其制作在阴极透明导电衬底上;一金属‑半导体核壳纳米颗粒层,其制作在电子传输层上;一有源层,其制作在金属‑半导体核壳纳米颗粒层上;一空穴传输层,其制作在有源层上;一阳极电极,其制作在空穴传输层上。本发明是将金属‑半导体核壳纳米颗粒引入电子传输层与有源层界面处,既能够发挥金属表面等离激元增强光吸收的效果,又能避免金属纳米颗粒与有源层直接接触形成电荷复合中心,同时壳层与电子传输层能级匹配,有利于电荷分离和传输。能够有效提高太阳电池光电转换效率。
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