公开(公告)号：CN102569444A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210030204.0

申请日：2012-02-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘孔 ,  曲胜春 ,  谭付瑞 ,  唐爱伟 ,  金兰 ,  张君梦 ,  徐文清

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种广谱高吸收的太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥结构之间的空隙底部为沉积的银纳米颗粒；多个上表面接触栅电极，制作在尖锥结构的表面；一下电极，制作在p型或轻掺杂n型硅层的背面。本发明可以提高光吸收和光电转换效率。同时具有工艺简单，成本低等特点。同时还能利用工艺中起催化作用的银纳米颗粒来产生表面等离子波效应，一举两得。

公开(公告)号：CN101780973A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010121621.7

申请日：2010-03-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 唐爱伟 ,  曲胜春 ,  王占国

IPC: C01G3/12 ,  B82B3/00

Abstract: 一种单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法，包括如下步骤：步骤1：以金属有机铜化合物作为铜原料，脂肪族硫醇作为硫原料；步骤2：将铜原料和硫原料加入到高沸点溶剂中，搅拌均匀，进行加热反应，得到反应液；步骤3：将反应液冷却至室温；步骤4：向反应液中加入沉淀剂，有灰色或黑色沉淀析出；步骤5：向析出的沉淀中加入溶剂，使沉淀溶解，得到溶液；步骤6：向溶解后的溶液中加入沉淀剂，进行陈化，离心；步骤7：在真空中进行干燥，得到硫化亚铜半导体纳米晶。

公开(公告)号：CN102569444B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201210030204.0

申请日：2012-02-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘孔 ,  曲胜春 ,  谭付瑞 ,  唐爱伟 ,  金兰 ,  张君梦 ,  徐文清

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种广谱高吸收太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥结构之间的空隙底部为沉积的银纳米颗粒；多个上表面接触栅电极，制作在尖锥结构的表面；一下电极，制作在p型或轻掺杂n型硅层的背面。本发明可以提高光吸收和光电转换效率。同时具有工艺简单，成本低等特点。同时还能利用工艺中起催化作用的银纳米颗粒来产生表面等离子波效应，一举两得。