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公开(公告)号：CN112795983A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011584692.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多腔室半导体薄膜外延装置，包括：多个生长腔室和一个机械臂；多个生长腔室至少包括一个石墨烯生长腔室、至少一个半导体材料生长腔室；其中，石墨烯生长腔室用于在衬底上生长石墨烯薄膜，包括等离子体处理模块，用于产生等离子气体；至少一个半导体材料生长腔室用于在石墨烯薄膜上范德华外延半导体薄膜，不同的半导体材料生长腔室用于生长不同的半导体薄膜；机械臂用于在生长腔室之间传递样品。该装置解决了在单腔室中石墨烯上外延半导体材料时石墨烯反应的残余气体对半导体材料的污染问题，同时还有利于简化生长腔室设计，提升材料生长效率和工艺可重复性；石墨烯采用了PECVD的方式制备，有利于提高石墨烯的生长速度，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103074674B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310010357.3
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。本发明可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性并可以避免严重的预反应。
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公开(公告)号：CN103556126A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310477594.0
申请日：2013-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/18 , H01L21/205
Abstract: 一种优化配置的多腔室MOCVD反应系统，包括：一独立与外界通过手套箱等隔离的箱体；多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于该箱体之内，分别用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长，该多个独立的生长室中的每个生长室都设有独立的加热源、独立的气体原材料管路、独立的监控系统；该多个独立的生长室分别采用独特的反应室设计，使之适用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长；并且用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的反应室的装机容量和数量是不同的；一机械臂，该机械臂位于该箱体底面的中部，该多个独立的生长室环绕于该机械臂的周围，使用该机械臂进行样品的传递。
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公开(公告)号：CN103074674A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310010357.3
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。本发明可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性并可以避免严重的预反应。
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公开(公告)号：CN101748377B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010033963.3
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离，且所述调距装置包括：设置在上端法兰和下端法兰之间的波纹管，引导波纹管的伸缩移动的支撑杆，以及使得波纹管伸缩移动的调距丝杆。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101140252B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610112883.0
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温度，满足对气体传感器或半导体器件性能进行测试的不同温度条件需要；测试单元，用于测试在不同温度和不同浓度测试用气体下气体传感器或半导体器件电流电压特性的变化，实现对气体传感器或半导体器件性能进行的测试。利用本发明，实现了在高温下对气体传感器的气敏性能和半导体器件的电学性能进行测试，满足了对气体传感器和半导体器件研究测试的需要。
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公开(公告)号：CN102054673A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910236706.7
申请日：2009-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/205
Abstract: 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。
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公开(公告)号：CN101819925A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162506.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。
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公开(公告)号：CN101812674A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033962.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置，包括：通过氮气管道连接到氮气气源的氮气分配管路，该氮气分配管路具有多个氮气分配支路；通过氢气管道连接到氢气源的氢气分配管路，该氢气分配管路具有多个氢气分配支路，其中，氮气分配管路的一个氮气分配支路与氢气分配管路的一个氢气分配支路连接，在连接处安装有连接处单向阀门，该连接处单向阀门打开时允许氮气通过其进入到氢气分配管路以执行吹洗操作、同时防止氢气通过其进入到氮气分配管路。本发明的气体分配装置可以实现气源气体的多路分配，准确控制各管路需要压力，从而实现不同使用目的的气体供应需要。
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公开(公告)号：CN101736311A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010033964.8
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的加热装置，包括：至少两段炉丝，该至少两段炉丝布置在同一加热平面内，且每一段炉丝连接到各自的电极；邻近所述加热平面布置在至少两段炉丝下方的测温计，用于探测每一段炉丝的加热温度；和温度控制器，该温度控制器基于测温计测得的温度，分别控制施加到每一段炉丝的加热功率以分别控制该至少两段炉丝的加热温度，使该至少两段炉丝的加热温度均匀化。根据本发明的金属有机物化学沉积设备的加热装置采用多段炉丝加热，通过每段炉丝加热功率的独立控制和/或炉丝形状、尺寸的设计，实现大面积加热温度的均匀可控，从而提高了外延材料的质量。另外，采用水冷电极和加热器屏蔽罩，进一步提高了加热的稳定性和安全性。
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