-
公开(公告)号：CN101211958A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710172703.2
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN－PZT焦平面探测器，它采用两种不同响应波段材料同相叠加集成结构。利用多层薄膜结构中不同层对于不同光子能量的光吸收的差别，实现了在紫外到红外的宽波段吸收和高分辨率的有机结合。外延层AlGaN作为紫外吸收层，吸收能量大于其禁带宽度的入射光子，并转化为光电流；同时作为窗口层，使能量小于其禁带宽度的入射光子透过。透过的光子被LaNiO3吸收转化为热量，传递给PZT材料，利用热释电性质，得到光信号。本发明的优点是：适应大规模焦平面应用，并且可以室温工作。
-
公开(公告)号：CN118969894A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411016870.8
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G01J4/04 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种具有双光栅结构的量子阱红外偏振探测器及其制备方法，该探测器芯片包括基板，铟柱，带有线光栅结构的量子阱探测器和集成的金属线偏振光栅，量子阱偏振探测器与基板之间通过铟柱互连，这种偏振探测器的特征在于它的像元具有集成的双光栅结构。按照制备顺序，第一层光栅是在GaAs材料上采用刻蚀的方法得到的介质光栅；第二层光栅是在去除GaAs衬底的探测器的光线入射面采用电子束蒸发生长的金属光栅。这种具有集成双光栅的偏振红外探测器的优点是：双层光栅能够实现精确调控量子阱芯片单个像元内部的光场，提高量子阱红外偏振探测的消光比。
-
公开(公告)号：CN109148623A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810945383.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法，其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层，非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层，n型Al0.45Ga0.55N层，倍增区非故意掺杂AlN层，p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区p型Al0.45Ga0.55N层，p型GaN帽层；在p型GaN帽层与n型Al0.45Ga0.55N层上分别有p型与n型欧姆接触电极；一钝化层，覆盖在刻蚀到n型Al0.45Ga0.55N层的台面上，对刻蚀台面进行保护。该器件最大的优点是利用弱p型Al0.45Ga0.55N层作为吸收区，AlN作为倍增区，这能够有效降低AlGaN基雪崩二极管的过剩噪声，提高器件的信噪比，而且有助于提高器件的紫外抑制比。
-
公开(公告)号：CN101777424B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010101878.6
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于步骤如下：在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔；制备PVDF有机聚合物薄膜；在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极；光刻腐蚀金属上电极；氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶；在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极；光刻腐蚀去除多余包裹电极，完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。本发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性，使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
-
公开(公告)号：CN101614834A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910055330.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有挡光环结构的冷光阑。其特点是在冷光阑的内壁合理的增加两个挡光环，同时挡光环的表面还涂覆一层性能良好的“黑色”涂层，从而能有效的减少杂散光。该设计能很好的提高系统的信噪比，增加对比度，改善整个系统的探测和识别能力。与不带挡光环的冷光阑相比，此发明能很有效的减少杂散光，让点源透过率PST值有相对几个数量级的衰减，制作易，成本低，能适用于任何冷光阑结构中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118610307A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410757178.4
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞探测器的批量分离方法，属于碲镉汞探测器的制备工艺领域，该方法包括以下步骤：1)提供带铟柱结构的芯片和带铟柱结构的无源电路；2)将芯片和无源电路中的铟柱进行倒焊互连；3)对倒焊互连后的成型器件进行充胶、固化；4)对固化后的成型器件进行第一次划片，去除芯片，露出底下的胶体；对步骤4)划片区域内的胶体进行等离子处理，露出无源电路上的焊盘区和第二次划片区；对步骤5)中的第二次划片区进行划片,分离出碲镉汞探测器。本发明提供的碲镉汞探测器的批量分离方法可以先实现芯片和无源电路的倒焊互连，再批量分离出探测器，不仅提高了小尺寸探测器芯片倒焊互连工艺的稳定性和一致性，同时大大节省了同批次碲镉汞探测器的铟柱倒焊互连时间，提高了互连工艺段的生产效率。
-
公开(公告)号：CN109148623B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810945383.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法，其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层，非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层，n型Al0.45Ga0.55N层，倍增区非故意掺杂AlN层，p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区p型Al0.45Ga0.55N层，p型GaN帽层；在p型GaN帽层与n型Al0.45Ga0.55N层上分别有p型与n型欧姆接触电极；一钝化层，覆盖在刻蚀到n型Al0.45Ga0.55N层的台面上，对刻蚀台面进行保护。该器件最大的优点是利用弱p型Al0.45Ga0.55N层作为吸收区，AlN作为倍增区，这能够有效降低AlGaN基雪崩二极管的过剩噪声，提高器件的信噪比，而且有助于提高器件的紫外抑制比。
-
公开(公告)号：CN101752087B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010101879.0
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF有机聚合物薄膜电容器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一金属底电极，该金属底电极生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，将部分金属底电极包裹起来；一有机聚合物薄膜，该有机聚合物薄膜生长在介电绝缘层开孔处，面积略大于开孔面积；一金属上电极，该金属上电极生长在有机聚合物薄膜上；一包裹电极，该包裹电极生长在金属上电极上，将有机聚合物薄膜与金属上电极包裹起来。本发明的器件结构利用介电层隔离上下电极，并利用上电极作为PVDF薄膜光刻掩膜，最终利用包裹电极将PVDF有机聚合物薄膜侧面保护起来，方便后续传统工艺的实施，使其可与其他器件集成制备，不受传统工艺的限制。
-
公开(公告)号：CN102201484A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110117457.7
申请日：2011-05-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件及制备方法，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。
-
公开(公告)号：CN101614834B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910055330.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有挡光环结构的冷光阑。其特点是在冷光阑的内壁合理的增加两个挡光环，同时挡光环的表面还涂覆一层性能良好的“黑色”涂层，从而能有效的减少杂散光。该设计能很好的提高系统的信噪比，增加对比度，改善整个系统的探测和识别能力。与不带挡光环的冷光阑相比，此发明能很有效的减少杂散光，让点源透过率PST值有相对几个数量级的衰减，制作易，成本低，能适用于任何冷光阑结构中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.036 seconds)
