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公开(公告)号：CN101728450A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910225371.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜，的碲镉汞晶片，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。
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公开(公告)号：CN101728403A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910226302.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60 , G01J1/02
CPC classification number: H01L2224/73204
Abstract: 本发明公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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公开(公告)号：CN100541808C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810036256.2
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN120041907A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510208605.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞电化学氧化液及其应用，碲镉汞电化学氧化液可用于碲镉汞表面的钝化。该氧化液的优点在于：氧化后的碲镉汞表面具有较少的表面电荷密度(Nf)，氧化后的碲镉汞有效少子寿命也更长。以中波碲镉汞材料(λc约5.4um)为例，使用该氧化液处理后的碲镉汞晶片，其表面Nf可低至2.48×1010cm‑2q‑1V‑1，总体上比常规氧化的碲镉汞表面电荷密度小一个数量级。碲镉汞有效少子寿命达到了1.2μs，比常规氧化处理的碲镉汞晶片平均有效少子寿命高约1倍。
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公开(公告)号：CN119767805A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411961686.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种垂直型碲镉汞红外探测器及制作方法，垂直型碲镉汞红外探测器包括基板和设置于基板的上表面之上的具有阳极氧化层的碲镉汞材料层；碲镉汞材料层的下表面设置下电极，碲镉汞材料层的上表面设置上电极，基板的上表面设置有过渡电极层；其中过渡电极层与下电极通过铟柱阵列倒焊互连。本发明的垂直型碲镉汞光导器件结构，使得探测器内部的电场由水平分布改为垂直分布，大幅减小探测器电阻，在相同的偏置条件下可有效减小探测器的功耗。此外，垂直型碲镉汞探测器更容易偏置在恒压模式下，具有更好的响应线性度，对于傅里叶变换光谱仪应用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119364917A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411392571.4
申请日：2024-10-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于铟、铬、金、铜的多金属接力互连的电极背引出碲镉汞光导小面阵探测器，探测器的蓝宝石基底内部有激光镂刻的微通孔阵列，在微通孔阵列内部电镀铜，碲镉汞使用环氧胶粘结于蓝宝石基底，在蓝宝石基底背面生长铬金延伸电极层，该铬金延伸电极层将铜和铟柱串联在一起，铟柱将探测器和蓝宝石电极板相连，探测器产生的光生电信号通过铜和铟柱从蓝宝石电极板读出。本发明解决了现有技术中当铜有损的情况下，在反复的高低温冲击过程中，如何避免铟柱和铜之间断开的问题。
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公开(公告)号：CN116314420A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310027641.5
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/103 , G01K7/16 , G01K15/00 , H01L31/0392 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种集成温度监测结构的红外探测器，在红外材料的一侧制备红外探测器；在另一侧上制备用于温度监测的温度敏感单元。该温度敏感单元通过在红外材料上生长绝缘介质层和铬铂金属层结构，并制备电极区，将铬铂金属层的两端引出后测量电阻可以实时监测芯片的温度。本专利用于温度监测的温度敏感单元通过光刻、镀膜等技术进行制备，一致性好。这种温度敏感单元可以根据探测器结构对铬铂金属层结构进行调整，可达到准确测量红外探测器温度的效果。
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公开(公告)号：CN103579406A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310469889.3
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/022408
Abstract: 本发明公开了一种改善响应光谱平整度的红外探测器结构，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电极和光敏感区隔离。本发明的器件结构简单且有效，消除了响应光谱谱形的非线形，提高了光谱的平整度。
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公开(公告)号：CN101261998A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036256.2
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN202405296U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201120320592.7
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元，其结构为：在蓝宝石衬底上依次为下反射层，下绝缘层，碲镉汞光导器件层，上绝缘层A，上绝缘层B，铬层，上反射层。该参考元特征在于：蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层，器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。
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