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公开(公告)号：CN101424888A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810174803.3
申请日：2008-10-31
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。
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公开(公告)号：CN101398639A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810211419.6
申请日：2008-09-22
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。
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公开(公告)号：CN101030046A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710086161.7
申请日：2007-03-05
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置，其特别适于经济性较好地对使用含各种专门的胺化合物的剥离液的剥离工序时以及使用各种抗蚀剂和剥离液时所产生的抗蚀剂剥离废液进行再生。所述再生装置适用于该再生方法。本发明所述的再生方法是对含有水、抗蚀剂、胺化合物、有机溶剂的抗蚀剂剥离废液进行再生的方法，该方法的特征在于，其含有：(a)添加酸的工序，所述酸与抗蚀剂剥离废液的胺化合物发生反应而使得胺化合物以胺－酸化合物的形式从剥离废液中析出；(b)将上述(a)工序中析出的胺－酸化合物从剥离废液中滤出的工序；和(c)对上述(b)工序中除去胺的剥离废液进行分别蒸馏而仅获取有机溶剂的工序。
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公开(公告)号：CN1920672A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610111383.5
申请日：2006-08-24
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于去除光致抗蚀剂和透明导电膜的剥离液组合物。具体地，本发明提供一种能去除半导体装置上透明导电膜的有机酸类透明导电膜去除剂及由有机胺及溶剂组成的双组分以上的剥离液组合物中包含上述去除剂的剥离液组合物。该组合物还可再含有作为抗离析剂使用的乙二醇醚化合物。本发明组合物中含有有机酸类透明导电膜去除剂，由此可去除透明导电膜。而且，上述透明导电膜去除剂中含有硫磺，也可作为防腐剂使用，可防止下部金属膜的金属布线的腐蚀，由此在保存由目前的LCD制备过程所制作出的金属图案的条件下，可以去除已形成图案的光致抗蚀剂，并有选择地或全部地去除涂敷在金属布线上光致抗蚀剂上的透明电极和位于金属布线上的透明电极。
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公开(公告)号：CN101030047A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710086162.1
申请日：2007-03-05
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置，所述再生方法和再生装置特别适于经济性较好地对使用含有各种专门的胺化合物的剥离液的剥离工序时以及使用各种抗蚀剂和剥离液时所产生的抗蚀剂剥离废液进行再生。本发明的再生装置适用于该再生方法。本发明的抗蚀剂剥离废液的再生方法是对含有水、抗蚀剂、胺化合物、有机溶剂的抗蚀剂剥离废液进行再生的方法，该方法的特征在于，其含有：(a)添加酸的工序，所述酸与抗蚀剂剥离废液的胺化合物发生反应而使得胺化合物形成在有机溶剂蒸馏时不被蒸馏的胺－酸化合物；和(b)对上述(a)工序的反应产物进行分别蒸馏而仅获取有机溶剂的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101017333A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003266.7
申请日：2006-02-06
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)占10－50重量％的有机胺；b)占0－70重量％的二甘醇单烷基醚；c)占20－90重量％的非质子极性溶剂；d)基于所述三种成分的总重量，占0.01－10重量％的非离子表面活性剂。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物对经蚀刻处理等工艺而变质的光致抗蚀剂图案膜具有优异的溶解性和剥离性，并与水混合后作为清洗液(rinse)使用时，对铝或铜基板的腐蚀小、蒸发少，不仅对作业环境有利，而且稳定性高，并可用水进行清洗，特别是低温剥离性能优异，因此具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN101000468A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710001267.2
申请日：2007-01-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种，为了再利用TFT－LCD彩色滤光片的制造过程中产生的不良基板，去除彩色抗蚀剂及涂层的薄膜晶体管液晶显示器用彩色抗蚀剂剥离液组合物，具体涉及一种包括：(a)1－50w％的选自无机碱氢氧化物、烷基氢氧化铵及苯基烷基氢氧化铵的氢氧化物，所述烷基氢氧化铵包含C1－C4的烷基；(b)5－30w％的极性硫化物；(c)5－35w％的烷撑二醇醚，所述烷撑二醇醚包含C1－C4的烷基；(d)2－30w％的烷撑二醇二烷基醚，所述烷撑二醇二烷基醚包含C1－C4的烷基；(e)2－30w％的水溶性胺化合物；(f)残余量水的彩色抗蚀剂用剥离液组合物。
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公开(公告)号：CN1950754A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014563.5
申请日：2005-05-06
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/32
CPC classification number: G03F7/425 , C07D295/027 , C07D295/088
Abstract: 本发明涉及一种在制作电路或显示装置图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体而言，涉及一种含有胺和溶剂的光刻胶去除剂组合物，其中，所述胺为环胺化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物可容易并快速地去除光刻胶膜，并可使形成图形的金属电路的腐蚀最小化。
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公开(公告)号：CN1924710A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128676.4
申请日：2006-09-04
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于在制造诸如集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)等的半导体器件的过程中去除光刻胶的光刻胶去除剂组合物，该光刻胶去除剂组合物包括：(a)0.1～10wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物；(b)5～50wt％的有机溶剂；(c)0.5～30wt％的有机胺；(d)5～60wt％的水；(e)0.0001～20wt％的铵盐；(f)0.4～10wt％的防腐剂；和(g)0.5～30wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物的稳定剂。本发明的包括过氧化氢或过氧化氢衍生物的光刻胶去除剂组合物可在短时间内、在高温或低温下有效去除通过硬性烘烤(hardbaking)、干法刻蚀、灰化和/或离子注入硬化并改性的光刻胶膜和通过从光刻胶膜下的金属膜刻蚀出的金属副产品改性的光刻胶膜，并同时将光刻胶膜下的金属布线的腐蚀减到最少。
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公开(公告)号：CN104629946B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201410641916.5
申请日：2014-11-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨后清洗的组合物，更具体地，涉及一种在半导体制造工艺中，用于包括金属布线及金属膜的半导体基板的清洗工艺，尤其是用于化学机械研磨后清洗裸露出金属布线的半导体基板的组合物。本发明的清洗组合物即能有效地清除附在半导体工件表面上的杂质，又不损伤金属布线，而且清洗后，不会残留在表面上造成工件污染，因此能够制造优秀的半导体。
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