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公开(公告)号：CN101051606A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710095828.X
申请日：2007-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45536 , C23C16/45546 , C23C16/45574
Abstract: 一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同时从处理气体供给系统将处理气体供给处理区域、和从阻挡气体供给系统将阻挡气体供给边缘空间，抑制处理气体流入边缘空间。
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公开(公告)号：CN1908228A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108370.2
申请日：2006-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。
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公开(公告)号：CN107236937A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710191098.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、气体供给方法、基板处理方法和成膜方法。该基板处理装置具有：处理容器，其能够收纳基板；压力检测单元，其测定该处理容器内的压力；排气侧阀，其设置于将该处理容器内进行排气的排气管；气体贮存罐，其经由气体供给管而与所述处理容器连接；气体量测定单元，其测定该气体贮存罐中贮存的气体量；以及控制阀，其设置于所述第一气体供给管，基于由所述压力检测单元检测出的所述处理容器内的压力改变阀开度，来控制从所述气体贮存罐向所述处理容器供给的气体的流路面积，由此能够控制所述处理容器内的压力。
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公开(公告)号：CN106409718A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510461147.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67098
Abstract: 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法，在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时，能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括：气体供给部，其用于向反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其以分别位于比保持于基板保持件的多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置。并且，气体分布调整构件包含设于比基板保持件的顶板靠下方的位置且是比基板保持件的底板靠上方的位置的、分别形成有凹凸的第1板状构件和第2板状构件，第1板状构件具有第1表面积，第2板状构件具有与第1表面积不同的第2表面积。
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公开(公告)号：CN103354202B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310258380.4
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051213A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410081006.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其包括：能够抽真空的圆筒状的处理容器；保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元；向处理容器内供给气体的气体供给单元；和利用等离子体使气体活性化的活性化单元，其中，活性化单元由沿处理容器长边方向配设的等离子体生成箱、沿等离子体生成箱配设的电感耦合型电极和连接到电感耦合型电极的高频电源构成，电感耦合型电极在等离子体生成箱的一端折返，沿等离子体生成箱的两侧壁配设，等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成，串联连接成为一部分被切去的状态的多个环状电极而形成电极。
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公开(公告)号：CN102163530B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110054175.7
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/509 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
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公开(公告)号：CN103354202A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310258380.4
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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公开(公告)号：CN1908228B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610108370.2
申请日：2006-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。
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公开(公告)号：CN101378007A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810171431.9
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/509 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
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