公开(公告)号：CN103094077B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210421314.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  池内俊之 ,  佐藤润 ,  两角友一朗 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。

公开(公告)号：CN104078386A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410120634.0

申请日：2014-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  木村法史 ,  大部智行

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明提供一种硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置。一种硅氧化膜的形成方法，在该形成方法中进行一次以上组合工序，该组合工序包括如下工序：待机工序，将被处理体收纳／回收到舟皿内；装载工序，将收纳在上述舟皿内的被处理体收纳到反应室内；硅氧化膜形成工序，在收纳于上述反应室内的被处理体形成硅氧化膜；卸载工序，将形成有上述硅氧化膜的被处理体输送到上述反应室外，其中，在上述卸载工序、上述待机工序以及上述装载工序的至少1个工序中，在对上述反应室内进行加热的同时，向该反应室内供给含有水蒸气的气体。

公开(公告)号：CN101962756A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010236459.3

申请日：2010-07-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  长谷川雅之 ,  高桥敏彦 ,  铃木启介

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: 本发明提供半导体处理用的成批CVD方法及装置。该成批CVD方法反复进行具有吸附工序、反应工序和除去残留气体的工序的循环。吸附工序这样地进行：通过在最初的第1期间内使原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，向处理容器内供给原料气体，通过将反应气体阀维持在关闭状态，不向处理容器内供给反应气体，将排气阀维持在关闭状态，不对处理容器内进行排气。反应工序这样地进行：将原料气体阀维持在关闭状态，不向处理容器内供给原料气体，使反应气体阀为打开状态，向处理容器内供给反应气体，通过将排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，对处理容器内进行排气。

公开(公告)号：CN1669127A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816376.4

申请日：2003-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  王文凌 ,  米川司 ,  池内俊之 ,  佐藤享

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20 ,  Y10T436/25

Abstract: 本发明涉及热处理方法，该热处理方法具有：利用多个加热单元分别加热反应容器内的热处理气氛的多个区域的加热工序；和将处理气体导入反应容器内而在多个基板的表面形成薄膜的工序，该热处理工序组包括：使用处理气体的消耗量比制品基板少的多个第一基板的第一热处理工序、在每个区域中测定薄膜的膜厚的第一测定工序、和以该各个膜厚变为目标值的方式，设定加热单元的各个的温度设定值的第一设定工序、对处理气体的消耗量比第一基板多的多个第二基板使用所述温度设定值的第二热处理工序、在多个区域的每一个测定在所述第二基板的表面上形成的薄膜的膜厚的第二测定工序、和校正多个加热单元的各个的所述温度设定值的第二校正工序、和对多个制品基板使用所述校正过的各温度设定值而实施所述热处理工序组的第三热处理工序。

公开(公告)号：CN109385616B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201810869583.X

申请日：2018-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高京硕 ,  佐佐木幸二 ,  池内俊之

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

Abstract: 本公开涉及向钨膜上形成氧化硅膜的方法、装置以及存储介质。在使用氧自由基那样的氧活性种来在钨膜上形成氧化硅膜的情况下，抑制钨膜的氧化。向钨膜上形成氧化硅膜的方法包括：第一工序，设为将具有表面形成了自然氧化膜的钨膜的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，使含硅气体吸附于钨膜来形成硅晶种层；第三工序，然后，对被处理体进行退火，通过自然氧化膜与硅晶种层的反应来形成氧化硅膜；以及第四工序，然后，通过使用含硅气体与氧活性种的ALD来形成ALD氧化硅膜。

公开(公告)号：CN108070847A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711121710.X

申请日：2017-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  岛裕巳 ,  铃木启介

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45548 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明涉及气体喷射器和立式热处理装置。该气体喷射器设置于立式热处理装置，用于向立式的反应容器内供给在基板上成膜用的成膜气体，将基板保持器具向在周围配置有加热部的反应容器内输入来对多个基板进行热处理，该基板保持器具沿上下方向将多个基板排列成搁板状来进行保持，该气体喷射器具备：筒状的喷射器主体，其以沿上下方向延伸的方式配置于反应容器内，沿上下方向在喷射器主体形成有多个气体供给孔；以及筒状的气体导入管，其沿上下方向以与喷射器主体成为一体的方式设置，该气体导入管具备：气体接受口，其接受成膜气体；以及气体导入口，其与喷射器主体的内部空间连通，该气体导入口向该内部空间导入成膜气体。

公开(公告)号：CN101962756B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201010236459.3

申请日：2010-07-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  长谷川雅之 ,  高桥敏彦 ,  铃木启介

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: 本发明提供半导体处理用的成批CVD方法及装置。该成批CVD方法反复进行具有吸附工序、反应工序和除去残留气体的工序的循环。吸附工序这样地进行：通过在最初的第1期间内使原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，向处理容器内供给原料气体，通过将反应气体阀维持在关闭状态，不向处理容器内供给反应气体，将排气阀维持在关闭状态，不对处理容器内进行排气。反应工序这样地进行：将原料气体阀维持在关闭状态，不向处理容器内供给原料气体，使反应气体阀为打开状态，向处理容器内供给反应气体，通过将排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，对处理容器内进行排气。

公开(公告)号：CN103928316A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410021187.3

申请日：2014-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  池内俊之 ,  佐藤润 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法。该方法具备：(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序；在前述(1)工序和前述(2)工序之间，具备：(3)在将前述硅膜氧化之前，将形成有前述硅膜的前述被处理体暴露于至少包含氧化成分的气氛中的工序。

公开(公告)号：CN102569030A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110448722.X

申请日：2011-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  周保华 ,  山本和弥 ,  世良贤太郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体而在半导体晶圆上形成薄膜。另外，控制部将装载温度设定为比成膜温度高的温度。

公开(公告)号：CN101256957B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200810095113.9

申请日：2008-02-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田哲弥 ,  梅泽好太 ,  池内俊之

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时将处理区域进行加热，由此使氧化性气体和上述还原性气体反应而产生氧活性种和羟基活性种，使用上述氧活性种和上述羟基活性种对被处理基板上的上述处理对象层进行氧化。接着，在由臭氧或者氧化性活性种构成的退火气体的氛围中将氧化后的处理对象层进行加热，由此对处理对象层进行退火。