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公开(公告)号：CN109385616B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810869583.X
申请日：2018-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本公开涉及向钨膜上形成氧化硅膜的方法、装置以及存储介质。在使用氧自由基那样的氧活性种来在钨膜上形成氧化硅膜的情况下，抑制钨膜的氧化。向钨膜上形成氧化硅膜的方法包括：第一工序，设为将具有表面形成了自然氧化膜的钨膜的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，使含硅气体吸附于钨膜来形成硅晶种层；第三工序，然后，对被处理体进行退火，通过自然氧化膜与硅晶种层的反应来形成氧化硅膜；以及第四工序，然后，通过使用含硅气体与氧活性种的ALD来形成ALD氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN113355652B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110193603.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种成膜方法。提供：可以以高生产率形成均匀性良好的氧化硅膜的技术。本公开的一方式的成膜方法为在处理容器内同时在多张基板上形成氧化硅膜的成膜方法，所述成膜方法执行包括如下步骤的多次循环：向前述处理容器内供给包含有机氨基官能化低聚硅氧烷化合物的硅原料气体的步骤；和，向调整为1～10Torr(133～1333Pa)的压力的前述处理容器内供给氧化气体的步骤。
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公开(公告)号：CN113355652A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110193603.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种成膜方法。提供：可以以高生产率形成均匀性良好的氧化硅膜的技术。本公开的一方式的成膜方法为在处理容器内同时在多张基板上形成氧化硅膜的成膜方法，所述成膜方法执行包括如下步骤的多次循环：向前述处理容器内供给包含有机氨基官能化低聚硅氧烷化合物的硅原料气体的步骤；和，向调整为1～10Torr(133～1333Pa)的压力的前述处理容器内供给氧化气体的步骤。
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公开(公告)号：CN109385616A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810869583.X
申请日：2018-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本公开涉及向钨膜上形成氧化硅膜的方法、装置以及存储介质。在使用氧自由基那样的氧活性种来在钨膜上形成氧化硅膜的情况下，抑制钨膜的氧化。向钨膜上形成氧化硅膜的方法包括：第一工序，设为将具有表面形成了自然氧化膜的钨膜的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，使含硅气体吸附于钨膜来形成硅晶种层；第三工序，然后，对被处理体进行退火，通过自然氧化膜与硅晶种层的反应来形成氧化硅膜；以及第四工序，然后，通过使用含硅气体与氧活性种的ALD来形成ALD氧化硅膜。
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