公开(公告)号：CN101515120A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910007671.X

申请日：2009-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 白石雅敏 ,  寺田尚司 ,  麻生丰 ,  大西辰己 ,  真锅英二

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其是在溶解光致抗蚀剂图案而形成所希望的抗蚀剂图案的回流处理中，能够提高生产效率，降低成本的基板处理方法。在溶解在基板(G)上形成的光致抗蚀剂图案(206)，形成新的光致抗蚀剂图案的基板处理方法中实行以下步骤：将作为底膜的蚀刻掩模使用的上述光致抗蚀剂图案(206)在纯水(W)中暴露规定时间的步骤；向上述基板(G)上吹付空气，除去上述纯水(W)的步骤；和将上述光致抗蚀剂图案(206)暴露于溶剂气氛中进行溶解，对规定区域进行掩模的步骤。

公开(公告)号：CN108962809B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201810515992.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大塚庆崇 ,  児玉宗久 ,  寺田尚司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理装置以及基板保持部的制造方法，能够高效地进行伴随紫外线处理的基板处理。所述基板处理装置具有：第一保持部，其保持被处理基板(W)；第二保持部，其与第一保持部相向配置，并对支承基板(S)进行静电吸附来保持支承基板(S)；以及紫外线照射部，其对设置在被第一保持部保持的被处理基板(W)与被第二保持部保持的支持基板(S)之间的粘接剂(G)照射紫外线。支承基板(S)和第二保持部分别由透过紫外线的材料构成。在第二保持部的内部设置有用于对支承基板(S)进行静电吸附的电极。在第二保持部的内部中的比电极靠支承基板(S)侧的位置形成有用于使紫外线的透过方向扩散的扩散层。

公开(公告)号：CN116762153A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280010161.1

申请日：2022-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺田尚司 ,  三村勇之 ,  前田浩史 ,  增住拓朗 ,  本田胜 ,  坂本亮一

IPC: H01L21/02

Abstract: 表面改性装置是通过处理气体的等离子体对基板的要与其它基板接合的接合面进行改性的表面改性装置。表面改性装置具备处理容器、测定部以及控制各部的控制部。处理容器以能够收容基板的方式构成。测定部测定表示处理容器内的水分量的值。控制部基于由测定部测定出的表示处理容器内的水分量的值，来判定在假定为将在处理容器内改性后的基板与其它基板进行了接合的情况下基板与其它基板之间的接合强度是否良好。

公开(公告)号：CN115410997A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210558803.3

申请日：2022-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三村勇之 ,  前田浩史 ,  寺田尚司 ,  本田胜 ,  坂本亮一 ,  山崎穰

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种接合系统和表面改性方法，能够提高重合基板的接合质量。本公开的一个方式的接合系统具备表面改性装置和接合装置。表面改性装置通过处理气体的等离子体对基板的与其它基板进行接合的接合面进行改性。接合装置通过分子间力将被表面改性装置改性后的两个所述基板接合。另外，表面改性装置具备能够收容基板的处理容器、向处理容器的内部供给包含水分的处理气体的处理气体供给部、以及生成包含水分的处理气体的等离子体的等离子体生成部。

公开(公告)号：CN108962809A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810515992.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大塚庆崇 ,  児玉宗久 ,  寺田尚司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理装置以及基板保持部的制造方法，能够高效地进行伴随紫外线处理的基板处理。所述基板处理装置具有：第一保持部，其保持被处理基板(W)；第二保持部，其与第一保持部相向配置，并对支承基板(S)进行静电吸附来保持支承基板(S)；以及紫外线照射部，其对设置在被第一保持部保持的被处理基板(W)与被第二保持部保持的支持基板(S)之间的粘接剂(G)照射紫外线。支承基板(S)和第二保持部分别由透过紫外线的材料构成。在第二保持部的内部设置有用于对支承基板(S)进行静电吸附的电极。在第二保持部的内部中的比电极靠支承基板(S)侧的位置形成有用于使紫外线的透过方向扩散的扩散层。

公开(公告)号：CN103229349A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180056387.7

申请日：2011-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 和田宪雄 ,  寺田尚司 ,  福田喜辉 ,  古谷悟郎

IPC: H01M14/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01G9/20 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01G9/2068 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明的色素吸附装置及色素吸附方法以及基板处理装置能够大幅缩短使色素吸附在基板表面上的多孔质的半导体层的工序的处理时间。处理中，在喷嘴（20）的溶液引导面（92L、92R）与基板（G）之间的间隙中形成色素溶液的流动，而基板被处理面的多孔质半导体层在这种色素溶液的流动中接受色素吸附处理。而且，色素溶液的流动之外，还有来自缝隙状吐出口（88L、88R）的冲击压力和在槽状凹凸部（94L、94R）的紊流作用于铅垂方向上。由此，在基板被处理面的多孔质半导体层的表层部难以发生色素彼此之间的凝集或者缔合，从而使色素高效地渗透至多孔质半导体层的内部深处，并能够使多孔质半导体层高速地吸附色素。

公开(公告)号：CN103229289A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201280003894.9

申请日：2012-01-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古谷悟郎 ,  寺田尚司 ,  福田喜辉 ,  和田宪雄

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  H01L31/04 ,  H01M14/00

CPC classification number: H01L21/67742 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，用于利用新颖的基板输送方式高效且高生产率地进行对基板实施的一系列处理而与单张处理或者批处理的种类无关。该基板处理装置将横长的处理载置台（10）配置于系统中心部，在其长边方向（X方向）的两端部连结装载机（12）以及卸载机（14）。处理载置台（10）具有从装载机（12）朝向卸载机（14）沿系统长边方向（X方向）笔直延伸的输送线（28），隔着该输送线（28）在其左右两侧配置有多个以及多种处理单元（44～54）。在输送线（28）上，多个单张输送机构（30、32、34、36）与多个往复输送部（38、40、42）交替排列配置成一列。