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公开(公告)号：CN101515120A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910007671.X
申请日：2009-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其是在溶解光致抗蚀剂图案而形成所希望的抗蚀剂图案的回流处理中，能够提高生产效率，降低成本的基板处理方法。在溶解在基板(G)上形成的光致抗蚀剂图案(206)，形成新的光致抗蚀剂图案的基板处理方法中实行以下步骤：将作为底膜的蚀刻掩模使用的上述光致抗蚀剂图案(206)在纯水(W)中暴露规定时间的步骤；向上述基板(G)上吹付空气，除去上述纯水(W)的步骤；和将上述光致抗蚀剂图案(206)暴露于溶剂气氛中进行溶解，对规定区域进行掩模的步骤。
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公开(公告)号：CN102193345A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110035363.5
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种减压干燥方法和减压干燥装置。在被处理基板上形成的涂覆膜上实施干燥处理的减压干燥装置中，能够提高干燥处理后的涂覆膜的面内均匀性，提高配线图案形成过程中所述涂覆膜的残留膜厚和线宽的均匀性。在将形成有涂覆膜的基板(G)收纳在腔室(2)内，使上述腔室内成为减压环境的工序中，包括以第一减压速度(v1)对上述腔室内的压力进行减压，成为比上述溶剂的蒸汽压(Pe)高并至少不会使上述溶剂突然沸腾蒸发的第一压力值(P1)的步骤；和从所述第一压力值至少直到所述溶剂的蒸汽压，以比所述第一减压速度低的第二减压速度(v2)缓慢进行减压的步骤。
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公开(公告)号：CN101030044B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710086123.1
申请日：2007-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/26 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，该方法在溶解抗蚀剂图形、形成所希望的图形的回流处理中，能够防止发生断线等不良问题，对于希望遮掩的规定区域能够有效地形成具有充分的均匀性的图形。其包括从具有厚膜部和薄膜部的抗蚀剂图形(206)，利用再显影处理除去薄膜部的步骤；和溶解由上述再显影处理在基底膜(205)上形成的抗蚀剂(206)，使之通过形成在基底膜(205)的边缘部上的台阶部(205a)，遮掩规定区域(Tg)的步骤，在遮蔽规定区域(Tg)的步骤中，在基底膜(205)上，在第一溶解速度模式下，溶解上述光致抗蚀剂(206)，在所溶解的光致抗蚀剂到达台阶部(205a)后，在溶解速度比第一溶解速度模式慢的第二溶解速度模式下，溶解上述光致抗蚀剂(206)。
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公开(公告)号：CN100576446C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810003524.0
申请日：2008-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/00 , G03F7/40
Abstract: 本发明涉及回流处理方法以及TFT的制造方法。以源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))的单位长度L平均的体积V1相对布线用抗蚀剂掩膜(231)的单位长度L平均的体积V2为1.5～3倍的方式设定线宽W1以及W2，由此，可确保源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))进行变形而得到的变形抗蚀剂(212)的线宽W3为充分覆盖凹部(220)的宽度，并且，将布线用抗蚀剂掩膜(231)变形而得到的变形抗蚀剂(232)的线宽W4抑制得很小。
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公开(公告)号：CN110571167A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910432519.X
申请日：2019-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种容易地测量基片温度的技术，实施方式的基片处理装置包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100576090C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710101648.8
申请日：2007-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G02F1/1303 , H01L21/0273 , H01L29/66765 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够在腔室内溶解光致抗蚀剂图形而形成所希望抗蚀剂图形的回流处理中，抑制随腔室内溶剂气氛的置换抗蚀剂图形的变形，防止图形不合格的发生。包括：将腔室(10)内的气压从基准压力减压到比该基准压力低的第一目标压力P1的步骤；将溶剂气氛导入到腔室内、使腔室(10)内的气压返回到基准压力的步骤；由溶剂气氛溶解腔室(10)内的光致抗蚀剂图形的步骤；和将腔室(10)内减压到设定为比所述基准压力并且比所述第一目标压力P1高的第二目标压力P2，排出腔室(10)内的溶剂气氛的步骤。
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公开(公告)号：CN101047120A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091353.7
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 麻生丰
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L21/308 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L29/41733 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及一种因为可在抗蚀剂再流平处理中，高精度控制已软化抗蚀剂的流动方向和流动面积，所以可用于布图形成、液晶显示装置用TFT元件的制造的技术。实施再流平处理的抗蚀剂(103)面临目标区域(S1)侧的下端部(J)比下层膜(102)的端部更向目标区域(S1)侧伸出，形成外伸形状。通过使抗蚀剂(103)的下端部(J)比下层膜(102)更突出，可避免产生抗蚀剂(103)的停滞，使软化的抗蚀剂迅速向目标区域(S1)流动。且作为促进抗蚀剂(103)向目标区域(S1)流动的反作用，抗蚀剂(103)向禁止区域(S2)的流动受到抑制，未到达禁止区域(S2)即停止变形。
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公开(公告)号：CN110610853A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910509871.9
申请日：2019-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种能够提高显影的均匀性的技术。实施方式的基片处理装置包括输送机构、显影液槽和供给嘴。输送机构平流地输送在表面形成有被曝光了的光致抗蚀剂膜的基片。显影液槽将由输送机构输送的基片浸渍在显影液中。供给嘴将显影液供给到被从显影液槽内的显影液中输送至外部的基片。
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公开(公告)号：CN101221900B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810002678.8
申请日：2008-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 在软溶处理单元(REFLW)(50)中，使辊(51)旋转，在X方向上输送基板(G)，基板(G)通过中空筒状的软溶处理器(53)的内部时，将包含溶剂的气体从溶剂供给部(55)的溶剂供给口(69)朝向基板(G)的表面供给，而且，从溶剂吸入部(57)的溶剂吸入口(75)吸入所供给的气体。向软溶处理空间(S)排出的包含溶剂的气体形成朝向溶剂吸入口(75)的单方向的流动，软溶处理空间的气氛中的溶剂被基板(G)表面的抗蚀剂吸收，由此，抗蚀剂软化而流动化，形成变形抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN101047121A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710092234.3
申请日：2007-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 麻生丰
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L21/84 , G03F7/40 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种在抗蚀剂的回流处理中，能够高精度地控制软化的抗蚀剂的流动方向和流动面积，因而可以应用于图形形成以及液晶显示装置用TFT元件的制造中的技术。在回流处理的抗蚀剂(103)的表面上设置有高低差，具有厚膜部(103a)以及膜厚相对薄的薄膜部(103b)。厚膜部(103a)在目标区域(S1)侧形成，薄膜部(103b)在禁止区域(S2)侧形成。厚膜部(103a)因为对稀释剂气氛的露出面积大，故软化快，超越台阶(D)而向目标区域(S1)进行流动。薄膜部(103b)由于对稀释剂气氛的露出面积比较小，所以难以进行软化，比起厚膜部(103a)来流动性不大，未到达禁止区域(S2)流动就停止。
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