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公开(公告)号：CN100355039C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03805758.1
申请日：2003-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477
Abstract: 本发明提供可以降低处理室内CF系聚合物沉积物堆积的等离子体处理装置。该等离子体蚀刻处理装置(1)包含在内部可定义处理室(2)的直径下部大上部小的处理容器(3)，如果处理室(2)减压到规定的真空环境，向处理室(2)内导入包含CF系气体的处理气体，则处理气体等离子体化，对半导体晶片(34)施以所希望的微细加工。从通过等离子体导致的CF系气体分解成分所生成的CF系聚合物的固体颗粒发生飞散，粘着到内壁(3b)及处理室内部件的表面上，为了防止CF系聚合物沉积物堆积，在等离子体处理容器(3)内壁(3b)的表面上遍及规定面积覆盖Y2O3喷镀覆膜(41)。
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公开(公告)号：CN102299067A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110175740.5
申请日：2011-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。该基板处理方法能对基板实施均匀的等离子处理且能充分地响应一腔室多处理的要求。基板处理装置(10)具有：容纳晶圆(W)的腔室(11)、配置在腔室内、用于载置晶圆的基座(12)、与基座相对配置的上部电极(24)、与基座相连接的第2高频电源(16)，上部电极与接地构件(36)电连接，使上部电极能够相对于基座移动，在上部电极中埋入电介质(26)，将在处理空间(PS)中产生的等离子体与接地构件(36)之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，而且，通过改变上部电极与基座之间的间隙(G)来改变上部电极与基座之间的等离子体密度。
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公开(公告)号：CN100416773C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200380104294.2
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。
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公开(公告)号：CN1717789A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104293.8
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591793A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410078499.4
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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公开(公告)号：CN101231943A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810005545.6
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：可以设置成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极；向所述处理容器内提供处理气体的处理气体供给部；输出第一高频的第一高频电源；把来自所述第一高频电源的所述第一高频以第一功率值提供给所述第一上部电极的第一供电部；把来自所述第一高频电源的所述第一高频，从所述第一供电部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极的第二供电部，所述第一上部电极具有与所述第二上部电极的下面相比还向下方突出的突出部分。
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公开(公告)号：CN1717788A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104292.3
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: 一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。
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公开(公告)号：CN1643663A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03805758.1
申请日：2003-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477
Abstract: 本发明提供可以降低处理室内CF系聚合物沉积物堆积的等离子体处理装置。该等离子体蚀刻处理装置(1)包含在内部可定义处理室(2)的直径下部大上部小的处理容器(3)，如果处理室(2)减压到规定的真空环境，向处理室(2)内导入包含CF系气体的处理气体，则处理气体等离子体化，对半导体晶片(34)施以所希望的微细加工。从通过等离子体导致的CF系气体分解成分所生成的CF系聚合物的固体颗粒发生飞散，粘着到内壁(3b)及处理室内部件的表面上，为了防止CF系聚合物沉积物堆积，在等离子体处理容器(3)内壁(3b)的表面上遍及规定面积覆盖Y2O3喷镀覆膜(41)。
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公开(公告)号：CN3231440D
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：CN01319950.1
申请日：2001-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 后视图、左视图、右视图与主视图相同，
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