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公开(公告)号：CN113345788A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110571547.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN1717790A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104294.2
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。
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公开(公告)号：CN116387129A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310348168.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN101231943A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810005545.6
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：可以设置成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极；向所述处理容器内提供处理气体的处理气体供给部；输出第一高频的第一高频电源；把来自所述第一高频电源的所述第一高频以第一功率值提供给所述第一上部电极的第一供电部；把来自所述第一高频电源的所述第一高频，从所述第一供电部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极的第二供电部，所述第一上部电极具有与所述第二上部电极的下面相比还向下方突出的突出部分。
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公开(公告)号：CN1717788A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104292.3
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: 一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886935B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980017588.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN100459059C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380104292.3
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: 一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。
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公开(公告)号：CN100435273C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510073552.6
申请日：2005-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 平野太一
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可调整等离子体源侧的阻抗，可消除装置间或清洗循环间的阻抗误差。该等离子体处理装置在分割成内侧电极(38)和外侧电极(36)的上部电极(34)与下部电极(16)之间生成等离子体，并在晶片(W)上施行等离子体处理，包括以高频电流向内侧电极38流入的方式形成的谐振电路(101)；设在向内侧电极(38)的供电线上的可变电容器(78)；检测下部电极(16)的偏压(VPP)的检测器(89)；和在形成等离子体的状态下，一边改变可变电容器(78)的电容，一边检测来自检测器(89)的信号而探出谐振电路(101)的谐振点，把谐振点处的可变电容器(78)的电容调整成为基准的值的控制器(102)。
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公开(公告)号：CN1705079A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510073552.6
申请日：2005-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 平野太一
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可调整等离子体源侧的阻抗，可消除装置间或清洗循环间的阻抗误差。该等离子体处理装置在分割成内侧电极(38)和外侧电极(36)的上部电极(34)与下部电极(16)之间生成等离子体，并在晶片(W)上施行等离子体处理，包括以高频电流向内侧电极38流入的方式形成的谐振电路(101)；设在向内侧电极(38)的供电线上的可变电容器(78)；检测下部电极(16)的偏压(VPP)的检测器(89)；和在形成等离子体的状态下，一边改变可变电容器(78)的电容，一边检测来自检测器(89)的信号而探出谐振电路(101)的谐振点，把谐振点处的可变电容器(78)的电容调整成成为基准的值的控制器(102)。
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公开(公告)号：CN119340187A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411459146.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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