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公开(公告)号：CN108074844B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711142504.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN108538751B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810170355.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
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公开(公告)号：CN107086172B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710086419.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
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公开(公告)号：CN109390254A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810902225.4
申请日：2018-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02101 , B08B3/041 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。
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公开(公告)号：CN108022861A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711066490.5
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , B01J3/008 , B01J3/06 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491770B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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公开(公告)号：CN107706131B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710670286.8
申请日：2017-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种能够去除存在于基板的图案内的纯水来快速置换为溶剂的液处理方法、基板处理装置以及存储介质等。该液处理方法在对被水平保持并在表面形成有图案的基板供给纯水之后，对基板进行干燥，该液处理方法包括：纯水供给工序，向基板的表面供给纯水；加热溶剂供给工序，在所述纯水供给工序之后，以液体的状态向存在纯水的基板的表面供给被加热到水的沸点以上的温度的溶剂；以及去除工序，去除所述基板表面的溶剂来使所述基板干燥。
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公开(公告)号：CN108022861B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711066490.5
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
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公开(公告)号：CN108538751A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810170355.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , F26B5/00 , F26B5/005 , F26B21/14 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
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公开(公告)号：CN108155116A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711248022.X
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B5/00 , B08B9/00 , B08B15/007 , B08B2203/0229 , C11D7/261 , C11D11/0041 , F26B5/005 , B08B5/04 , H01L21/02101
Abstract: 提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
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