公开(公告)号：CN107706131B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201710670286.8

申请日：2017-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中森光则 ,  川渕洋介 ,  增住拓朗 ,  山下浩司 ,  前田昭三

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种能够去除存在于基板的图案内的纯水来快速置换为溶剂的液处理方法、基板处理装置以及存储介质等。该液处理方法在对被水平保持并在表面形成有图案的基板供给纯水之后，对基板进行干燥，该液处理方法包括：纯水供给工序，向基板的表面供给纯水；加热溶剂供给工序，在所述纯水供给工序之后，以液体的状态向存在纯水的基板的表面供给被加热到水的沸点以上的温度的溶剂；以及去除工序，去除所述基板表面的溶剂来使所述基板干燥。

公开(公告)号：CN107706131A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710670286.8

申请日：2017-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中森光则 ,  川渕洋介 ,  增住拓朗 ,  山下浩司 ,  前田昭三

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: B29C64/393 ,  B08B3/10 ,  B29C64/106 ,  B29C64/236 ,  B29K2995/0021 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02 ,  B41J2/01 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67017

Abstract: 提供一种能够去除存在于基板的图案内的纯水来快速置换为溶剂的液处理方法、基板处理装置以及存储介质等。该液处理方法在对被水平保持并在表面形成有图案的基板供给纯水之后，对基板进行干燥，该液处理方法包括：纯水供给工序，向基板的表面供给纯水；加热溶剂供给工序，在所述纯水供给工序之后，以液体的状态向存在纯水的基板的表面供给被加热到水的沸点以上的温度的溶剂；以及去除工序，去除所述基板表面的溶剂来使所述基板干燥。