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公开(公告)号：CN111146351A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010001249.X
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其制备方法，从下而上依次设置栅极、绝缘层、电子传输层、第一介电层、量子点发光层、第二介电层、空穴传输层、源/漏极，第一介电层修饰电子传输层和量子点发光层的界面，第二介电层修饰量子点发光层与空穴传输层界面。通过介电层修饰量子点发光层与空穴传输层的界面，不仅减少空穴传输层与发光层间的空穴注入势垒，并且减少发光层的针孔，改善空穴的注入效率，降低非辐射复合，显著提高了发光场效应晶体管的发光效率。本发明还使用介电层修饰电子传输层与量子点发光层的界面，可以降低电子传输层内部的陷阱密度，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN111139060A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911394014.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有周期核壳结构的超大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先以第一温度制备均匀的铟前驱体溶液；然后以第二温度获得均一尺寸的磷化铟核；再以第三温度保温第一时间，形成具有壳层包覆硒化锌的磷化铟量子点；然后进行快速降温至第四温度；再以第五温度合成硫化锌壳层并保温第二时间；然后重复制备硒化锌层～制备硫化锌壳层阶段的过程，形成InP/[ZnSe/ZnS]n多周期核壳结构的大尺寸量子点。本发明方法以InP量子点为核，依次交替包覆ZnSe和ZnS壳层，通过ZnSe晶格对ZnS晶格的拉应力来释放ZnS对内部结构产生的压应力，极大提高了量子点稳定性，并达到超大尺寸的特性，量子点发光效率有了显著的提高。
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公开(公告)号：CN110752322A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910968157.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法，利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)界面修饰的空穴传输层制备高质量的钙钛矿薄膜。本发明PVP界面修饰层得以引入空穴传输层与钙钛矿薄膜之间，从而制备光滑平整、高荧光产率的钙钛矿薄膜。相比无PVP修饰的传统方法制备的钙钛矿薄膜，经PVP界面修饰的薄膜表面粗糙度下降且荧光产率增强。本发明通过PVP对HTL进行界面修饰，PVP中的吡咯烷酮部分具有良好的亲水性，因此使得钙钛矿前驱体对HTL的润湿性大大提高，提高钙钛矿的成核位点，可制备光滑平整的钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN109742233A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811581607.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种倒置串联白光量子点发光器件及其制备方法，采用一系列量子点发光层分别作为红、绿或蓝三种不同色光的发光功能层，使各发光单元形成红、绿或蓝三种不同色光的发光器件，通过对红绿蓝三种单个器件结构进行堆叠形成白光串联器件，采用共用电源驱动从而发出白光。本发明通过一系列单个器件结构的堆叠且仅使用单个电源驱动的发光器件，易于对各单元进行分别优化并实现对各发光层颜色的调节，有效提高了器件发光效率，改善了白光器件的稳定性，同时保证了发光寿命。
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公开(公告)号：CN119020015A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410974146.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种白光量子点、制备方法及发光二极管，将硒粉与十八烯混合，获得第一前驱体溶液；将锌源、油酸和石蜡混合，获得第二前驱体溶液；将卤源和十八烯混合，获得第三前驱体溶液；将第一前驱体溶液和辛硫醇在惰性气体环境下混合，获得第四前驱体溶液；在280‑330℃时向无水醋酸锌、石蜡、油酸混合的反应中先注入第一前驱体溶液，再注射第三前驱体溶液，之后加入第四前驱体溶液，获得白光量子点，白光量子点包括X:ZnSe/ZnS，X包括Cl、Br和I中的一种或两种以上。本发明的量子点为单组分发射白光，改善了色漂移和重吸收效应。本专利受国家重点研发计划2022YFE0200200资助。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118754815A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410520383.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海大学
IPC: C07C211/27 , C07C209/68 , C07D333/20 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K50/11
Abstract: 本发明涉及发光材料，具体涉及一种红光钙钛矿发光材料、制备方法及发光二极管器件。红光钙钛矿发光材料包括碘基钙钛矿，所述碘基钙钛矿包括至少两元间隔阳离子，所述碘基钙钛矿包括结构式为NMAxPPAyCswPbmIi的化合物，其中，0.08
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公开(公告)号：CN111690401B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201911394191.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种增大磷化铟量子点发光核尺寸的制备方法，首先制备均匀的铟前驱体溶液并配置相应比例的磷前驱体；然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入部分三(三甲基硅基)膦；再进行升温过程中，温度到达第二温度时加入剩余的三(三甲基硅基)膦；然后加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度，形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。本发明方法通过分比例加入磷源的方式，能够实现在不改变In:P摩尔比的前提下而有效增大量子点的核尺寸，使量子点的发光效率有了显著的提高，尺寸分布更加均匀，使量子点的发光效率有了显著的提高，对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN114315646A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111477960.3
申请日：2021-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: C07C257/12 , C09K11/06 , C09K11/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法，首先进行超声合成或热注入法预合成反应制备钙钛矿纳米晶，并制备短链胺溴化物前驱体，然后将钙钛矿纳米晶溶液与短链胺溴化物混合，使用短链胺溴化物对纳米晶进行刻蚀，从而获得小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶溶液，所述蓝光钙钛矿纳米晶颗粒尺寸不大于9.2nm。本发明引入极性较强的短链胺进一步刻蚀，刻蚀去除了钙钛矿纳米晶的表面的空位缺陷以及结晶性低的部分，减少了纳米晶表面缺陷。并且刻蚀使得纳米晶的尺寸降低，且小于波尔激子半径；最终合成了形貌均一、发光效率高，稳定性好的小尺寸蓝光钙钛矿纳晶。本发明制备的钙钛矿纳米晶光电材料能够实现稳定可调发光以及高的PL QY，可应LED器件领域。
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公开(公告)号：CN107104193B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710302633.1
申请日：2017-05-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有多层周期掺杂结构的复合空穴传输层、LED器件结构、应用和制备方法，本发明通过在量子点发光器件的空穴有机传输层中掺入金属氧化物材料，并制备出以此掺杂有机层为结构单元的具有多层周期掺杂的空穴传输层（Hole Transport Layer,HTL），显著地提高了器件的空穴注入能力，从而改善了器件中载流子的注入平衡。同时系统地研究了金属氧化物掺杂材料在空穴传输层的掺杂比例对器件发光性能的影响。该结构不局限于量子点LED，其器件结构可移植到其他类型光电器件。
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公开(公告)号：CN110305660A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910514175.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/06
Abstract: 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An-1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法，从而产生更有效的能量传递路径。同时，MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高，三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成，使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成，从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格，而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面，CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。
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