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公开(公告)号：CN106981500A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710082403.9
申请日：2017-02-16
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L27/3227 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种全钙钛矿的太阳能电池和LED显示集成系统及其制备方法，采用单步溶液法生长MAPbI3‑xClx薄膜，通过导线，将钙钛矿的太阳能电池的阳极与LED显示器件的阴极串联，并将钙钛矿的太阳能电池的阴极衬底和LED显示器件的阳极衬底串联，形成闭合回路，太阳能电池吸收太阳能，并放出电能为LED显示器件供电，完成太阳能电池和LED显示器件集成旋涂的制备，做到全钙钛矿系统，原材料相对易得，节省原材料和制作工序更加具有经济效应。本发明分别制备出高效的钙钛矿太阳能电池和LED显示器，最后进行集合，工序简单，便于流水线制备，而且节约材料，省时省能，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN106098948A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610408763.9
申请日：2016-06-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0008
Abstract: 本发明公开了一种单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法，其中钙钛矿薄膜制备方法是用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用瞬间快速将电流迅速加至200A，使蒸发舟温度瞬间达到1000℃以上，材料瞬间升华，通过调整不同溶液配比，制备出成份可控以及大晶粒尺寸的钙钛矿薄膜。采用一步闪蒸法制备的钙钛矿薄膜具有能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件的特点。同时采用PCBM为n型材料，Spiro‑OMeTAD为p型材料与i型的钙钛矿薄膜一起构成p‑i‑n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率大于10.01%的器件。
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公开(公告)号：CN104617618A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510034451.1
申请日：2015-01-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H02J7/32 , H01L35/28 , H02N11/002
Abstract: 本发明涉及一种基于手表表带的充电装置，属于环保供电技术领域。充电装置组装方法为将以碲化锌及其合金为主题材料制作的温差发电晶片加工成手表表链，通过卡扣将每个发电晶片连接起来，实现各个发电模块的串联以达到足够大的电压。将得到的电能通过稳压放大模块和充电模块连接到表盘的锂电池和外接接口上。锂电池连接到表盘中的耗电设备。该种装置可以通过人体表皮与周围环境温度差实现温差发电，可以实现无时无刻为锂电池或者外界电路充电，是一种便携式利用绿色资源的环保供电装置。通过组装可以得到利用温差发电得到的电能为表盘中的电子表永久供电，同时也可以为外接的小型蓝牙耳机进行充电。
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公开(公告)号：CN104134720A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410327199.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L51/0008 , H01L51/0077 , H01L51/4226 , H01L51/4233
Abstract: 本发明涉及一种单源闪蒸法生长有机无机杂化钙钛矿材料及其平面型太阳能电池的制备方法，属于新型材料器件制造工艺领域。其中有机无机杂化钙钛矿薄膜制备方法是：用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用小于1秒的时间将金属蒸发舟迅速加热至1000℃以上的温度，可制备出成份准确的有机无机杂化钙钛矿薄膜。采用单源闪蒸法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜具有蒸发速率快，薄膜无空洞，适合做平面型器件的特点。并采用TiO2或ZnO为n型材料，Spiro-OMeTAD为p型材料与i型的有机无机杂化钙钛矿薄膜一起构成p-i-n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率为6.26%的器件。
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公开(公告)号：CN101323982B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810040638.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF和HNO3的混合溶液中对硅片衬底进行腐蚀后即可获得自支撑金刚石薄膜；将薄膜置于射频磁控溅射仪的样品架上，用氮化硼作靶材，在N2和Ar中，调节射频功率至200～250W，偏压为150～250V，衬底温度为150～500℃，溅射后制得高质量立方氮化硼薄膜。本发明的氮化硼薄膜中立方相含量达到90％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101323982A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040638.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF和HNO3的混合溶液中对硅片衬底进行腐蚀后即可获得自支撑金刚石薄膜；将薄膜置于射频磁控溅射仪的样品架上，用氮化硼作靶材，在N2和Ar中，调节射频功率至200～250W，偏压为150～250V，衬底温度为150～500℃，溅射后制得高质量立方氮化硼薄膜。本发明的氮化硼薄膜中立方相含量达到90％。
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公开(公告)号：CN118604671A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410587956.X
申请日：2024-05-13
Applicant: 上海大学
IPC: G01R31/52 , G01R19/145 , G01R1/073 , G01R15/04
Abstract: 本发明公开了一种像素型碲锌镉探测器漏电流测试治具及其使用方法，属于像素型碲锌镉探测器电学性能测试领域。本发明包括探针卡盘、第一弹簧探针、第一接触电极、沉金PAD、转接板、第二弹簧探针，探针卡盘中间位置设置测试线缆接口、第一探针固定孔、采集信号输出口，探针卡盘外围设置第二探针固定孔，测试线缆接口通过分压电路与第一探针固定孔、第二探针固定孔电连接，第一弹簧探针、第二弹簧探针分别安装在第一探针固定孔中、第二探针固定孔中，第一探针固定孔、第二探针固定孔通过信号采集电路与采集信号输出口电连接。本发明通过分压电路使测试治具在同一时间对碲锌镉探测器各像素点进行加压，提高测试效率，提升测试结果可靠性。
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公开(公告)号：CN113001376A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110212877.7
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CH3NH3PbI3(MAPbI3)晶体的抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤：准备好待抛光的晶体，对待抛光的晶体表面进行细砂纸的打磨处理；配制抛光液，通过煤油与硅油以1:9的体积比进行混合，配制抛光液溶剂；将25mL溶剂与2g氧化镁抛光粉混合后超声均匀分散，形成所用的抛光液；将抛光液均匀倾倒至金相绒布抛光垫上，对待抛光的晶体进行抛光；通过煤油对晶体进行清洗，得到理想的晶体表面。MAPbI3晶体通过此方法抛光后，表面缺陷显著减少，电学性质明显提高。
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公开(公告)号：CN111312857A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN110565165A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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