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公开(公告)号：CN105742492B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610225882.0
申请日：2016-04-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5‑20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN105742492A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610225882.0
申请日：2016-04-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/149 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5?20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230735B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610175610.4
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。
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公开(公告)号：CN105762231B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610230584.0
申请日：2016-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法，属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜，再在其上制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/GaN异质结结构的中子探测器提供了方法。本发明是一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnCdO薄膜/GaN异质结结构的中子探测器。其特点在于，采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnCdO薄膜层吸收紫外线，进行光电转换，从而实现中子探测。
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公开(公告)号：CN106098948A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610408763.9
申请日：2016-06-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0008
Abstract: 本发明公开了一种单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法，其中钙钛矿薄膜制备方法是用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用瞬间快速将电流迅速加至200A，使蒸发舟温度瞬间达到1000℃以上，材料瞬间升华，通过调整不同溶液配比，制备出成份可控以及大晶粒尺寸的钙钛矿薄膜。采用一步闪蒸法制备的钙钛矿薄膜具有能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件的特点。同时采用PCBM为n型材料，Spiro‑OMeTAD为p型材料与i型的钙钛矿薄膜一起构成p‑i‑n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率大于10.01%的器件。
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公开(公告)号：CN105762231A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610230584.0
申请日：2016-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法，属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜，再在其上制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/GaN异质结结构的中子探测器提供了方法。本发明是一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnCdO薄膜/GaN异质结结构的中子探测器。其特点在于，采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnCdO薄膜层吸收紫外线，进行光电转换，从而实现中子探测。
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公开(公告)号：CN107230735A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610175610.4
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , C23C14/0629 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/02966 , H01L31/1836
Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。
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