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公开(公告)号：CN106283195A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN107230735A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610175610.4
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , C23C14/0629 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/02966 , H01L31/1836
Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449978A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610536003.6
申请日：2016-07-10
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4206 , H01L51/0003 , H01L51/0026
Abstract: 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法。本发明涉及一种叉指型共平面金属-半导体-金属(MSM)结构的甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜可见光盲紫外探测器的制备。其中CH3NH3PbCl3薄膜是通过混合连续沉积过程形成的，首先氯化铅(PbCl2)通过热蒸发法先沉积在衬底上，然后旋涂上一层氯化甲胺(CH3NH3Cl)，最后通过退火，使PbCl2和CH3NH3Cl反应生成致密的且结晶度良好的CH3NH3PbCl3薄膜。这种探测器在360nm的响应率高达15.6A/W，电流开关比接近两个数量级。这些结果表明CH3NH3PbCl3薄膜探测器在可见光盲紫外探测器的应用方面极具竞争力。
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公开(公告)号：CN105679856A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610175611.9
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0248 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0248 , H01L31/0445 , H01L31/1828
Abstract: 本发明涉及的是一种使用低温溶液法制备出掺杂Mg的ZnO的薄膜窗口层的方法，属于太阳能电池薄膜制备工艺技术领域。在其中使用低温溶液法制备掺Mg的ZnO薄膜窗口层的方法是：通过制备MgO和ZnO混合物纳米颗粒，并将其溶于正丁醇制得的旋涂液，通过旋涂和热成膜处理制得掺杂Mg的ZnO窗口层薄膜。优化制备条件后制得的薄膜窗口层可直接应用到钙钛矿太阳能电池中，并且器件显示出具有一定的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN107230735B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610175610.4
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。
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公开(公告)号：CN106283195B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN106098948A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610408763.9
申请日：2016-06-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0008
Abstract: 本发明公开了一种单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法，其中钙钛矿薄膜制备方法是用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用瞬间快速将电流迅速加至200A，使蒸发舟温度瞬间达到1000℃以上，材料瞬间升华，通过调整不同溶液配比，制备出成份可控以及大晶粒尺寸的钙钛矿薄膜。采用一步闪蒸法制备的钙钛矿薄膜具有能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件的特点。同时采用PCBM为n型材料，Spiro‑OMeTAD为p型材料与i型的钙钛矿薄膜一起构成p‑i‑n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率大于10.01%的器件。
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