公开(公告)号：CN101323982B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810040638.2

申请日：2008-07-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  冯健 ,  黄健 ,  唐可 ,  赖建明 ,  管玉兰

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF和HNO3的混合溶液中对硅片衬底进行腐蚀后即可获得自支撑金刚石薄膜；将薄膜置于射频磁控溅射仪的样品架上，用氮化硼作靶材，在N2和Ar中，调节射频功率至200～250W，偏压为150～250V，衬底温度为150～500℃，溅射后制得高质量立方氮化硼薄膜。本发明的氮化硼薄膜中立方相含量达到90％。

公开(公告)号：CN101323982A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810040638.2

申请日：2008-07-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  冯健 ,  黄健 ,  唐可 ,  赖建明 ,  管玉兰

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF和HNO3的混合溶液中对硅片衬底进行腐蚀后即可获得自支撑金刚石薄膜；将薄膜置于射频磁控溅射仪的样品架上，用氮化硼作靶材，在N2和Ar中，调节射频功率至200～250W，偏压为150～250V，衬底温度为150～500℃，溅射后制得高质量立方氮化硼薄膜。本发明的氮化硼薄膜中立方相含量达到90％。