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公开(公告)号：CN111919296B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980022355.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/11 , H01L25/00 , H01L23/00 , H01L21/50 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种功率模块(1)，该功率模块(1)包括：‑第一基板和第二基板(10)，各个基板包括导电材料构图层(12)；‑定位在基板之间的多个预包装功率单元(20)，各个单元包括：○嵌入有至少一个功率管芯(22)的电绝缘芯(21)，以及○在电绝缘芯(21)的相对侧的两个导电材料外层(23)，所述外层分别连接到基板的各个构图层，其中，预包装功率单元的各个外层包括通过布置在电绝缘芯(21)中的连接来连接到功率管芯的相应触点(220)的接触焊盘(230)，所述接触焊盘的表面积大于与其连接的功率管芯电触点的表面积。
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公开(公告)号：CN110431430B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201880018131.9
申请日：2018-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种多芯片健康监测装置(10)：‑在由芯片群(17a、17b)提供给负载(Mo)的给定电流处，将芯片中的一个芯片设置为非导通状态(NCS)；‑当该芯片处于NCS时，获得表示该芯片的温度的信号并确定该芯片的温度；‑当该芯片处于NCS时，获得表示该芯片的接通状态电压(OSV)的信号并确定该芯片的OSV；‑在多芯片健康监测装置(10)的存储器中存储的表中取得与该给定电流和该芯片的所确定温度对应的OSV；‑如果该芯片的所确定OSV与所取得的OSV之间的差等于或高于预定值，则通知需要更换该多芯片功率模块(15)。
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公开(公告)号：CN107735950B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201680033881.4
申请日：2016-06-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种系统，该系统包括：由晶片组成的多晶片功率模块；和控制器，该控制器接收用于启动多晶片功率模块的晶片的多个连续输入模式，其中，晶片被分组成至少一个晶片的多个组，以及特征在于：控制器包括：‑用于对于至少一个晶片的各组输出一个栅源信号的单元，至少一个栅源信号的上升沿和/或下降沿从用于其他晶片组的其他栅源信号的上升沿和/或下降沿反复地时间移位。
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公开(公告)号：CN108604856B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201780010684.5
申请日：2017-02-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种控制多管芯功率模块的操作的方法，该多管芯功率模块由并联联接的至少两个管芯组成。该方法包括以下步骤：‑获得在多管芯功率模块中流动的电流，‑获得与多管芯功率模块的管芯有关的损耗分布，‑根据所测量的在多管芯功率模块中流动的电流来估计一个管芯在没有管芯停用时、在所述一个管芯停用时，以及在至少一个其它管芯停用时的损耗，‑根据所估计的损耗并且根据所述损耗分布来确定是否应该停用管芯以及应该停用哪个管芯，‑如果应该停用管芯，则停用应该停用的管芯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109155298A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780027211.6
申请日：2017-04-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/64 , H05K1/18 , H05K1/14 , H01L23/473 , H05K1/02
Abstract: 本发明涉及功率模块，该功率模块包括：至少一个功率管芯，所述至少一个功率管芯被嵌入多层结构中，所述多层结构是至少两个子模块的组装件，各个子模块由绝缘层和导电层形成，并且所述功率模块还包括：嵌入所述多层结构中的至少一个电容器，所述至少一个电容器用于使嵌入所述多层结构中的所述至少一个功率管芯与电力供应解耦；以及所述至少一个功率管芯的至少一个驱动电路，所述至少一个驱动电路被设置在所述多层结构的表面上或者完全或部分嵌入所述多层结构中。
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公开(公告)号：CN108770363A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201780010822.X
申请日：2017-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种用于确定半导体功率模块的至少一个芯片的结的温度的方法，半导体功率模块由多个芯片组成，该多个芯片并联连接并根据模式周期在导通状态与非导通状态间切换，方法包括以下步骤：在一个切换周期的至少一部分期间禁止至少一个芯片导通；在该至少一个芯片不导通的周期的一段时间内向该至少一个芯片的栅极施加电流受限电压，产生的电压偏移具有不能够使得芯片导通的值；测量芯片的该栅极处的电压；以及根据测得的电压得到该至少一个芯片的结的温度变化或芯片的结的温度。
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公开(公告)号：CN107710085A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036925.9
申请日：2016-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G05B19/4065 , G05B23/02
CPC classification number: G05B23/0224 , G05B19/4065 , G05B23/0227 , G05B23/0283 , G05B2219/32234 , G05B2219/32235 , G05B2219/37252
Abstract: 本发明涉及一种用于估计电装置的损坏程度的方法。该方法包括以下步骤：-形成与被执行损坏程度估计的电装置有关的工作周期的直方图；-将所形成的直方图与直方图集的直方图或与所述直方图集的直方图组合进行比较，以确定与所形成的直方图最接近的所述直方图集的直方图或直方图组合，该直方图集的各直方图与损坏程度关联；以及-根据最接近的直方图的损坏程度或根据最接近的直方图组合的直方图的损坏程度确定该电装置的损坏程度的估计。
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公开(公告)号：CN107005143A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063312.X
申请日：2015-11-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M1/32 , H03K17/082 , H03K17/12 , H03K17/14
CPC classification number: H02M1/32 , H01L25/07 , H01L2924/0002 , H02M1/08 , H02M2001/0009 , H02M2001/327 , H03K3/011 , H03K17/0822 , H03K17/122 , H03K17/145 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于控制由开关组成的电源模块的操作的器件，各个开关由并联连接的多个功率芯片组成，其特征在于，器件对于电源模块的各个功率芯片包括：‑温度传感器，用于感测功率芯片的温度，‑电流传感器，用于感测通过功率芯片的所述电流，‑选通中断电路，如果所感测的电流大于预定电流阈值，则该选通中断电路选通提供给功率芯片的信号，‑控制器，如果所感测的功率芯片的温度高于至少一个开关的功率芯片的平均芯片温度，则该控制器减少芯片的导通时间。
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公开(公告)号：CN111373526B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201880072356.2
申请日：2018-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于允许恢复电源模块的管芯的互连部的系统，互连部的第一端子固定在管芯上并且互连部的第二端子连接到电路。系统包括：位于互连部的第一端子附近的至少一种材料，该材料具有预定熔化温度，用于在预定时间段期间将管芯的温度控制在所述预定熔化温度的装置。本发明还涉及方法。
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