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公开(公告)号：CN116940817A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202180095187.6
申请日：2021-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及一种在包括热敏电器件、外部电路、补偿模块和测量模块的系统中使用热敏电器件的温度敏感电参数来确定功率半导体的结温的方法。补偿模块至少包括第一开关和第二开关。本发明：‑在第一时段期间使第一开关处于闭合状态并且使第二开关处于断开状态，以测量第一组电压；‑在至少一个另一时段期间改变第一开关的状态和/或第二开关的状态或至少一个另一开关的状态，以测量至少一个另一电压；‑使用所测量的电压来确定温度敏感参数的值。
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公开(公告)号：CN110431430B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201880018131.9
申请日：2018-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种多芯片健康监测装置(10)：‑在由芯片群(17a、17b)提供给负载(Mo)的给定电流处，将芯片中的一个芯片设置为非导通状态(NCS)；‑当该芯片处于NCS时，获得表示该芯片的温度的信号并确定该芯片的温度；‑当该芯片处于NCS时，获得表示该芯片的接通状态电压(OSV)的信号并确定该芯片的OSV；‑在多芯片健康监测装置(10)的存储器中存储的表中取得与该给定电流和该芯片的所确定温度对应的OSV；‑如果该芯片的所确定OSV与所取得的OSV之间的差等于或高于预定值，则通知需要更换该多芯片功率模块(15)。
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公开(公告)号：CN108770363A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201780010822.X
申请日：2017-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种用于确定半导体功率模块的至少一个芯片的结的温度的方法，半导体功率模块由多个芯片组成，该多个芯片并联连接并根据模式周期在导通状态与非导通状态间切换，方法包括以下步骤：在一个切换周期的至少一部分期间禁止至少一个芯片导通；在该至少一个芯片不导通的周期的一段时间内向该至少一个芯片的栅极施加电流受限电压，产生的电压偏移具有不能够使得芯片导通的值；测量芯片的该栅极处的电压；以及根据测得的电压得到该至少一个芯片的结的温度变化或芯片的结的温度。
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公开(公告)号：CN111373526B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201880072356.2
申请日：2018-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于允许恢复电源模块的管芯的互连部的系统，互连部的第一端子固定在管芯上并且互连部的第二端子连接到电路。系统包括：位于互连部的第一端子附近的至少一种材料，该材料具有预定熔化温度，用于在预定时间段期间将管芯的温度控制在所述预定熔化温度的装置。本发明还涉及方法。
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公开(公告)号：CN111373526A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880072356.2
申请日：2018-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于允许恢复电源模块的管芯的互连部的系统，互连部的第一端子固定在管芯上并且互连部的第二端子连接到电路。系统包括：位于互连部的第一端子附近的至少一种材料，该材料具有预定熔化温度，用于在预定时间段期间将管芯的温度控制在所述预定熔化温度的装置。本发明还涉及方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110446910A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880014558.1
申请日：2018-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于控制包括多个晶片的多晶片功率模块的温度的方法，多晶片温度控制装置接收输入信号并且独立地驱动多晶片功率模块的晶片。多晶片温度控制：-在多晶片功率模块的晶片当中的一个晶片不导通时获得表示该一个晶片的温度的信号，-在多晶片功率模块的所有晶片不导通时获得表示取决于所有晶片的温度的参考温度的信号，-将表示一个晶片的温度的信号与表示参考温度的信号进行比较，-根据比较结果减少晶片的导通时间的持续时间或减少多晶片功率模块的其它晶片的导通时间的持续时间。
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公开(公告)号：CN110431430A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880018131.9
申请日：2018-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种多芯片健康监测装置(10)：-在由芯片群(17a、17b)提供给负载(Mo)的给定电流处，将芯片中的一个芯片设置为非导通状态(NCS)；-当该芯片处于NCS时，获得表示该芯片的温度的信号并确定该芯片的温度；-当该芯片处于NCS时，获得表示该芯片的接通状态电压(OSV)的信号并确定该芯片的OSV；-在多芯片健康监测装置(10)的存储器中存储的表中取得与该给定电流和该芯片的所确定温度对应的OSV；-如果该芯片的所确定OSV与所取得的OSV之间的差高于预定值，则通知需要更换该多芯片功率模块(15)。
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公开(公告)号：CN118829853A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202280092181.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种用于估计MOS/MIS功率半导体模块的温度的测量方法包括：‑在参考状态下，a.向栅极注入正电流Ig,ref，栅极‑发射极/源极的初始电压V0,ref高于平带电压Vfb，b.测量电流源两端的电压Vig,ref(t)，c.当电压变得低于平带电压Vfb时，停止电流注入Ig,ref，‑在操作状态下，d.从向栅极注入正电流Ig,op，栅极‑发射极/源极的初始电压V0,op高于平带电压Vfb，e.测量电流源两端的电压Vig,op(t)，f.当电压变得低于平带电压Vfb时，停止电流注入Ig,op，‑然后，g.比较所测量的电压Vig,ref(t)和Vig,op(t)，h.从所述比较推算横跨MOS/MIS功率半导体模块的温度分布Tj,dev。
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公开(公告)号：CN111373529B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880071612.6
申请日：2018-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于允许恢复电源模块的管芯的第一互连部的系统，该第一互连部将管芯连接到电路。该系统包括：电源模块的至少一个另一互连部；周期性电流源，该周期性电流源连接到所述至少一个另一互连部，用于产生流过所述至少一个另一互连部的周期性电流，以在预定持续时间期间在第一互连部的至少一部分中达到预定温度。本发明还涉及相关联的方法。
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公开(公告)号：CN116724483A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202180091285.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/38
Abstract: 提供了一种控制功率半导体模块的方法，该方法包括：监测至少一个运行参数，并且仅当运行参数保持在一范围内并且运行参数的范围具有初始状态时，才发起校准阶段。校准阶段包括测量第一温度敏感电参数，减少死区时间，监测所述运行参数，测量第二温度敏感电参数，仅当运行参数已保持在所述范围内且第二温度敏感电参数的值对应于较低温度值时，才分配死区时间的值，否则仅当运行参数已保持在所述范围内且第二温度敏感电参数的值对应于较高温度值时，才更新状态，存储死区时间和运行参数的范围。
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