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公开(公告)号：CN107771372B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201680033603.9
申请日：2016-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种系统，该系统包括：由晶片组成的多晶片功率模块；和控制器，该控制器接收用于启动多晶片功率模块的晶片的多个连续输入模式。晶片被分组为晶片的多个群集，并且控制器包括用于对于晶片的各群集输出一个栅源信号的单元，各输出栅源信号与其他栅源信号不同，并且至少一个第一输出的栅源信号在多个输入模式中的至少一个输入模式期间减少晶片的启动。
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公开(公告)号：CN112368830A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980039809.6
申请日：2019-05-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/538
Abstract: 本发明涉及电力组件(1)，其包括：功率晶片(10)，其具有至少两个电接触件(11)；电绝缘芯(20)，其中功率晶片嵌入在电绝缘芯中；以及导电材料的两个层(30)，其位于电绝缘芯的相对主表面上，其特征在于，电力组件包括至少一个开口腔(40)，所述至少一个开口腔(40)从功率晶片的电接触件(11)延伸穿过电绝缘芯与位于功率晶片的和电接触件相同侧上的导电材料的层(30)，使得开口腔具有由功率晶片的电接触件的区域形成的底部(41)。
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公开(公告)号：CN110050177A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780073844.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及用于控制多管芯功率模块的温度的方法，该方法包括以下步骤：-确定多管芯功率模块的管芯的结温的第一加权算术平均并存储该加权算术平均，-连续确定管芯的结温的另一加权算术平均，-检查该另一加权算术平均与所存储的加权算术平均之间的差是否低于第一预定值，-如果该另一加权算术平均与所存储的加权算术平均之间的差低于第一预定值，则允许修改向多管芯功率模块的至少一个选择的管芯施加的输入信号的占空比，-如果该另一加权算术平均与所存储的加权算术平均之间的差不低于第一预定值，则禁止修改向多管芯功率模块的该至少一个管芯施加的输入信号的占空比。
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公开(公告)号：CN113518926B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080018254.X
申请日：2020-01-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明：确定在脉宽调制的第一周期中半导体的导通状态的持续时间是否高于预定持续时间，在第二周期中半导体的导通状态期间测量向负载提供的电压，在第三周期中半导体的导通状态的持续时间的一部分期间依次禁用各个半导体的导通，并且测量向负载提供的电压，确定在第二周期期间测量的电压与在第三周期期间测量的各个电压之间的差，根据差的值对差进行排序，检查所确定的顺序是否与存储在设备的存储器中的顺序相同，并且如果顺序改变，则确定一个半导体的一个连接劣化。
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公开(公告)号：CN109155298B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780027211.6
申请日：2017-04-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/64 , H05K1/18 , H05K1/14 , H01L23/473 , H05K1/02
Abstract: 本发明涉及功率模块，该功率模块包括：至少一个功率管芯，所述至少一个功率管芯被嵌入多层结构中，所述多层结构是至少两个子模块的组装件，各个子模块由绝缘层和导电层形成，并且所述功率模块还包括：嵌入所述多层结构中的至少一个电容器，所述至少一个电容器用于使嵌入所述多层结构中的所述至少一个功率管芯与电力供应解耦；以及所述至少一个功率管芯的至少一个驱动电路，所述至少一个驱动电路被设置在所述多层结构的表面上或者完全或部分嵌入所述多层结构中。
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公开(公告)号：CN110446910B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201880014558.1
申请日：2018-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于控制包括多个晶片的多晶片功率模块的温度的方法，多晶片温度控制装置接收输入信号并且独立地驱动多晶片功率模块的晶片。多晶片温度控制：‑在多晶片功率模块的晶片当中的一个晶片不导通时获得表示该一个晶片的温度的信号，‑在多晶片功率模块的所有晶片不导通时获得表示取决于所有晶片的温度的参考温度的信号，‑将表示一个晶片的温度的信号与表示参考温度的信号进行比较，‑根据比较结果减少晶片的导通时间的持续时间或减少多晶片功率模块的其它晶片的导通时间的持续时间。
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公开(公告)号：CN111919296A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201980022355.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/11 , H01L25/00 , H01L23/00 , H01L21/50 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种功率模块(1)，该功率模块(1)包括：‑第一基板和第二基板(10)，各个基板包括导电材料构图层(12)；‑定位在基板之间的多个预包装功率单元(20)，各个单元包括：○嵌入有至少一个功率管芯(21)的电绝缘芯(21)，以及○在电绝缘芯(21)的相对侧的两个导电材料外层(23)，所述外层分别连接到基板的各个构图层，其中，预包装功率单元的各个外层包括通过布置在电绝缘芯(21)中的连接来连接到功率管芯的相应触点(220)的接触焊盘(230)，所述接触焊盘的表面积大于与其连接的功率管芯电触点的表面积。
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公开(公告)号：CN108770363B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201780010822.X
申请日：2017-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种用于确定半导体功率模块的至少一个芯片的结的温度的方法，半导体功率模块由多个芯片组成，该多个芯片并联连接并根据模式周期在导通状态与非导通状态间切换，方法包括以下步骤：在一个切换周期的至少一部分期间禁止至少一个芯片导通；在该至少一个芯片不导通的周期的一段时间内向该至少一个芯片的栅极施加电流受限电压，产生的电压偏移具有不能够使得芯片导通的值；测量芯片的该栅极处的电压；以及根据测得的电压得到该至少一个芯片的结的温度变化或芯片的结的温度。
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公开(公告)号：CN108604856A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010684.5
申请日：2017-02-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种控制多管芯功率模块的操作的方法，该多管芯功率模块由并联联接的至少两个管芯组成。该方法包括以下步骤：-获得在多管芯功率模块中流动的电流，-获得与多管芯功率模块的管芯有关的损耗分布，-根据所测量的在多管芯功率模块中流动的电流来估计一个管芯在没有管芯停用时、在所述一个管芯停用时，以及在至少一个其它管芯停用时的损耗，-根据所估计的损耗并且根据所述损耗分布来确定是否应该停用管芯以及应该停用哪个管芯，-如果应该停用管芯，则停用应该停用的管芯。
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