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公开(公告)号：CN100502022C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC: H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
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公开(公告)号：CN101170090A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710166886.7
申请日：2007-10-23
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/13099 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。
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公开(公告)号：CN1941340A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610131718.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L2221/6834 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16237 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。
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公开(公告)号：CN1296981C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200310115678.6
申请日：2003-10-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。
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公开(公告)号：CN1881572A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610091292.X
申请日：2006-06-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1276492C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03143065.1
申请日：2003-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0231 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法包括：在Si衬底(1)上形成第一氧化膜(3)，在该第一氧化膜上形成金属焊盘(2a、2b)的工序；由粘接薄膜(7)、粘接剂与薄膜、或者粘接剂粘合所述Si衬底(1)和支承该Si衬底(1)的支承衬底(8)的工序；腐蚀所述Si衬底(1)形成开口部后，在所述Si衬底(1)的下表面和所述开口部内形成第二氧化膜(10)的工序；腐蚀所述第二氧化膜(10)后形成连接在所述焊盘的配线(12)并在该配线(12)上形成导电端子(14)的工序；由所述Si衬底(1)的下表面至所述粘接薄膜(7)进行切割的工序；分离所述Si衬底(1)和所述支承衬底(8)的工序。
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公开(公告)号：CN1512553A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310115678.6
申请日：2003-10-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。
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公开(公告)号：CN1469447A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03143065.1
申请日：2003-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0231 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 一种削减制造工序数量，并实现低成本化的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法包括：在Si衬底1上介由第一氧化膜3形成金属焊盘2a、2b的工序；介由粘接薄膜7粘合所述Si衬底1和支承该Si衬底1的支承衬底8的工序；腐蚀所述Si衬底1形成开口部后，在所述Si衬底1的背面和所述开口部内形成第二氧化膜10的工序；腐蚀所述第二氧化膜10后形成连接在所述焊盘的配线12并在该配线12上形成导电端子14的工序；由所述Si衬底1的背面至所述粘接薄膜7进行切割的工序；分离所述这Si衬底1和所述支承衬底8的工序。
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公开(公告)号：CN100501986C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
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公开(公告)号：CN100474573C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610075271.9
申请日：2003-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/52 , H01L25/065 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0231 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，包括：形成于半导体衬底的上表面侧的金属焊盘；与所述金属焊盘电连接，并且形成于所述半导体衬底的上表面侧的电极连接部；形成于所述半导体衬底的侧面部及下表面部的第一绝缘膜；与所述金属焊盘连接，并且沿所述半导体衬底的侧面部及下表面部延伸的金属配线。
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