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公开(公告)号：CN1638075A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410092330.4
申请日：2004-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/004 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/786 , H01L2224/7865 , H01L2224/789 , H01L2224/78901 , H01L2224/85045 , H01L2224/851 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 控制器可以接收来自引线焊接监视系统的断线信号和操作线夹以夹住断线。可以包括拉线操作、线尾形成操作和小球形成操作的一系列操作可以自动执行。传感器可以测量引线拉动毛细管的长度和可以在线尾上形成的小球的位置。为了利用传感器信息拉动引线，辅助线夹可以安装在线夹和毛细管之间。
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公开(公告)号：CN108695256A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810288543.6
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本申请提供了一种制造半导体装置的方法以及半导体装置。该制造半导体装置的方法包括：将衬底的上部图案化，以形成第一有源图案，所述衬底包括具有第一晶格常数的半导体元素；在第一有源图案的上部上执行选择性外延生长工艺，以形成第一源极/漏极区；为第一源极/漏极区掺杂镓；在掺有镓的第一源极/漏极区上执行退火工艺；以及形成连接至第一源极/漏极区的第一接触图案。第一源极/漏极区包括具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的半导体元素。
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公开(公告)号：CN1779916A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510116124.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成绝缘图形。绝缘图形具有露出衬底表面的至少一个开口。然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。第一多晶硅层还包括在其中的空隙。第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。
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公开(公告)号：CN106559606B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201610842913.7
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种镜头阴影校正电路、一种片上系统、一种数据处理系统和一种用于图像的镜头阴影校正的数据处理方法。所述镜头阴影校正电路包括：增益发生器，配置为响应于增益生成参数对于输入图像的每个像素生成第一增益值；以及调节电路，配置为接收第一增益值和第一YUV数据，并使用第一增益值和第一YUV数据的Y值中的至少一个调节第一YUV数据的U值和V值中的至少一个。
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