公开(公告)号：CN107611126A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710541978.2

申请日：2017-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/0649

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；位线结构，位于基底上；第一接触结构，位于位线结构的侧壁上；第二接触结构，位于位线结构上并且跨过位线结构与第一接触结构分隔开；以及绝缘图案，位于位线结构与第一接触结构之间。第二接触结构覆盖位线结构的顶表面的至少一部分。绝缘图案包括从绝缘图案的与位线结构直接相邻的侧壁突出的突起。突起沿与基底的顶表面平行的第一方向突出。

公开(公告)号：CN107393918A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710310121.X

申请日：2017-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  朴台镇 ,  黄有商

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10885 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/0207 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括衬底。该半导体器件包括在衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括第一绝缘材料和在第一绝缘材料上的第二绝缘材料。该半导体器件包括从堆叠结构的第一绝缘材料的侧壁延伸到堆叠结构的第二绝缘材料的侧壁的一部分上的间隔物。此外，该半导体器件包括在间隔物上的导电线。还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102446919B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110302245.6

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  洪亨善 ,  黄有商 ,  郑铉雨

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供一种具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；半导体柱，从半导体衬底延伸，该半导体柱包括第一区域、第二区域和第三区域，第二区域位于第一区域和第三区域之间，第三区域位于第二区域与半导体衬底之间，直接相邻的区域具有不同的导电类型；第一栅极图案，设置在第二区域上，第一绝缘层在第一栅极图案与第二区域之间；以及第二栅极图案，设置在第三区域上，其中第二区域通过第二栅极图案欧姆连接到衬底。

公开(公告)号：CN102446920B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110295534.8

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  吴容哲 ,  黄有商 ,  曹永丞 ,  郑铉雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中第一场效应晶体管的沟道区域用作第二场效应晶体管的源极/漏极电极，第二场效应晶体管的沟道区域用作第一场效应晶体管的源极/漏极电极。

公开(公告)号：CN104037125A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410076999.8

申请日：2014-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  金大益 ,  金冈昱 ,  金那罗 ,  朴济民 ,  李圭现 ,  郑铉雨 ,  秦教英 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

公开(公告)号：CN103681677A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310403824.9

申请日：2013-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄有商 ,  郑铉雨 ,  金大益

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：在基底上沿第一方向延伸的导电线和绝缘覆盖线的堆叠结构；多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间具有空气空间；支撑件，设置在绝缘覆盖线和接触塞之间，以限制空气空间的高度。支撑件的宽度沿第一方向改变或者支撑件仅沿第一方向不连续地存在。在制造半导体装置的方法中，在堆叠结构的侧部上形成牺牲间隔件，使间隔件凹陷，在凹陷中形成支撑层，蚀刻支撑层以形成支撑件，然后去除间隔件的剩余部分以提供空气空间。

公开(公告)号：CN102446920A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110295534.8

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  吴容哲 ,  黄有商 ,  曹永丞 ,  郑铉雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中第一场效应晶体管的沟道区域用作第二场效应晶体管的源极/漏极电极，第二场效应晶体管的沟道区域用作第一场效应晶体管的源极/漏极电极。

公开(公告)号：CN108766969B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810329924.4

申请日：2018-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金大益 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  张世明 ,  黄有商

IPC: H10B43/00 ,  H10B43/30

Abstract: 本发明提供一种制造半导体存储器装置的方法，包含：在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案；形成覆盖位线封盖图案的侧壁和位线的侧壁的第一间隔物；形成与第一间隔物的侧壁接触且具有低于第一间隔物的上部末端的顶部表面的接触塞；移除第一间隔物的上部部分；形成封闭至少空隙的入口的第一牺牲层；形成覆盖位线封盖图案的侧壁且具有与第一间隔物的顶部表面接触的底部表面的第二间隔物；以及移除第一牺牲层。位线封盖图案在位线上。接触塞包含暴露于顶部表面上的空隙。

公开(公告)号：CN106997849B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201710017494.8

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  黄有商

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法可包括以下步骤：蚀刻外围区上的本体图案以形成图案并且随后在单元区和外围区二者上形成层。所述方法可包括：形成从单元区延伸至外围区上的线图案；以及随后在单元区和外围区二者上形成层。

公开(公告)号：CN108766969A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810329924.4

申请日：2018-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金大益 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  张世明 ,  黄有商

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供一种制造半导体存储器装置的方法，包含：在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案；形成覆盖位线封盖图案的侧壁和位线的侧壁的第一间隔物；形成与第一间隔物的侧壁接触且具有低于第一间隔物的上部末端的顶部表面的接触塞；移除第一间隔物的上部部分；形成封闭至少空隙的入口的第一牺牲层；形成覆盖位线封盖图案的侧壁且具有与第一间隔物的顶部表面接触的底部表面的第二间隔物；以及移除第一牺牲层。位线封盖图案在位线上。接触塞包含暴露于顶部表面上的空隙。