公开(公告)号：CN109712935A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811228091.9

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  M.S.罗德 ,  B.J.奥布拉多维奇 ,  洪俊顾

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336

Abstract: 描述了一种用于提供半导体器件的方法和如此形成的器件。掺杂的半导体层沉积在半导体底层上。半导体底层的至少一部分被暴露。用于掺杂的半导体层的掺杂剂选自p型掺杂剂和n型掺杂剂。掺杂的半导体层的紫外辅助低温(UVLT)退火在一气氛中进行。该气氛选自氧化气氛和氮化气氛。氧化气氛用于n型掺杂剂。氮化气氛用于p型掺杂剂。在UVLT退火期间，牺牲层通过掺杂的半导体层形成。掺杂剂通过UVLT退火从掺杂的半导体层驱入半导体底层的所述部分中，从而形成掺杂的半导体底层。然后去除牺牲层。

公开(公告)号：CN107424929B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201710346507.6

申请日：2017-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  达尔门达·雷迪·帕勒 ,  洪俊顾

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  B82Y10/00

Abstract: 提供了一种形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法，所述方法包括：在底层上形成多个牺牲层和至少一个沟道层的堆叠件，其中，牺牲层与底层接触，每个沟道层与牺牲层中的至少一个接触，牺牲层由SiGe形成，所述至少一个沟道层由Si形成；在所述堆叠件中形成至少一个源极/漏极沟槽区域以暴露SiGe牺牲层的表面和所述至少一个Si沟道层的表面；在湿氧或者臭氧和UV的环境中氧化SiGe牺牲层的暴露的表面和所述至少一个Si层的暴露的表面。

公开(公告)号：CN108022873A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711077862.4

申请日：2017-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  马克·S·罗德尔 ,  帝泰什·拉克西特 ,  克里斯·鲍温

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：一系列金属布线层以及位于金属布线层中的上金属布线层上的互补成对的平面场效应晶体管(FET)。上金属布线层为M3或比M3更高的层。每个FET包括结晶材料的沟道区。结晶材料可以包括多晶硅。上金属布线层M3或比M3更高的层可以包括钴。

公开(公告)号：CN107818946A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710816705.4

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  洪俊九

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/78 ,  H01L27/0922 ,  H01L21/823871

Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)电路及其制造方法。所述CMOS电路包括基底和位于基底上的多个场效应晶体管。每个场效应晶体管包括：多个接触件；源极，连接到所述多个接触件中的一个接触件；漏极，连接到所述多个接触件中的另一接触件；栅极；间隔件，位于栅极与接触件之间。所述多个场效应晶体管中的一个的间隔件具有比所述多个场效应晶体管中的另一个的间隔件的气隙大的气隙。

公开(公告)号：CN106057899A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610232111.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伯纳·J·欧博阿多威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  缇塔斯·拉克施特 ,  王维一 ,  马克·S·罗德尔

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。