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公开(公告)号：CN104856663A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510084838.8
申请日：2015-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于感测身体信息的设备和方法。所述设备包括：发光装置，被构造为向将被感测的对象发射光信号；光接收装置，被构造为检测从对象反射的反射光信号；图像传感器，被构造为检测所述从对象反射的反射光；控制器，被构造为：根据对象与发光装置之间的距离而选择性地驱动光接收装置和图像传感器中的至少一个，以及通过使用所述反射光信号感测对象的体信息或血流信息。
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公开(公告)号：CN103260087A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310053358.6
申请日：2013-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/472 , G06F3/14 , G06F3/0481 , G06F3/0486
CPC classification number: G06F3/0484 , G06F3/1454 , H04L67/08
Abstract: 一种显示装置，包括：显示设备；图像处理器，处理图像以在显示设备上显示所述图像；通信单元，与至少一个第一外部设备和至少一个第二外部设备通信，所述至少一个第一外部设备中存储内容数据，所述至少一个第二外部设备中安装有用于处理内容数据的应用；以及控制器，控制图像处理器与第一外部设备和第二外部设备通信并在显示设备上显示与内容数据和应用相对应的用户界面UI图像，并且通过UI图像来控制应用关于内容数据的处理操作。
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公开(公告)号：CN119653773A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410958491.4
申请日：2024-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：外围电路结构；以及单元结构，包括单元衬底和栅电极，并且位于外围电路结构上。外围电路结构包括：外围电路板，包括面向单元结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一电路元件，在外围电路板的第一表面上；第一布线，在第一层间绝缘层中电连接到第一电路元件；电容器介电层，覆盖外围电路板的第二表面；第一电容器电极，在电容器介电层中；第二电容器电极，在电容器介电层中与第一电容器电极间隔开；以及第一连接通孔，通过穿过外围电路板将第一电容器电极与第一布线电连接。
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公开(公告)号：CN119383976A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410928851.6
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括单元结构和电连接到单元结构的外围电路结构。外围电路结构包括：有源区；第一栅极结构，包括与有源区相交并且与有源区接触的第一栅极绝缘层；第二栅极结构，包括与第一栅极结构间隔开并且与有源区接触的第二栅极绝缘层；以及源/漏区，位于第一栅极结构和第二栅极结构之间。第一栅极绝缘层的厚度小于第二栅极绝缘层的厚度。源/漏区包括与第一栅极结构相邻的第一区域和与第二栅极结构相邻的第二区域。第一区域的深度等于第二区域的深度。
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公开(公告)号：CN119364770A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410424135.4
申请日：2024-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路结构；以及在外围电路结构上的单元结构，其中，外围电路结构包括：衬底，包括单元区、与单元区相邻的连接区、以及围绕单元区和连接区延伸的焊盘区；第一连接结构，在衬底与单元结构之间；在单元区和/或连接区中的第一外围电路晶体管；以及在焊盘区中的第二外围电路晶体管，其中，第一连接结构包括第一布线结构和虚设结构，第一布线结构电连接到第一外围电路晶体管和/或第二外围电路晶体管，以及虚设结构不直接连接到第一外围电路晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118695594A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410323716.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及集成电路装置和包括该集成电路装置的电子系统。该集成电路装置包括：衬底，该衬底包括有源区，该有源区包括集成在一起并由器件隔离膜限定的中心有源区、基础有源区和延伸有源区。漏极区位于中心有源区中，源极区分别位于基础有源区中。基础有源区在平面图中相对于中心有源区在不同的对角线方向上彼此间隔开。延伸有源区各自具有L形、连接中心有源区和基础有源区、并且彼此间隔开。栅极结构分别与基础有源区交叉并且在衬底上彼此间隔开。中心有源区、延伸有源区、基础有源区和栅极结构配置传输晶体管，并且传输晶体管共享漏极区。
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公开(公告)号：CN118159025A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311664736.4
申请日：2023-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置和电子系统。半导体装置包括：衬底，该衬底包括有源区域和限定有源区域的装置隔离层，有源区域包括在第一方向上延伸的中心有源区域和在垂直于第一方向的第二方向上从中心有源区域的边缘延伸的第一延伸有源区域至第四延伸有源区域；以及在有源区域上并且彼此间隔开的第一栅极结构至第四栅极结构，其中，中心有源区域、第一延伸有源区域至第四延伸有源区域、以及第一栅极结构至第四栅极结构构成第一传输晶体管至第四传输晶体管，第一传输晶体管至第四传输晶体管共享中心有源区域上的一个漏极区域，并且有源区域在平面图中具有H形形状。
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公开(公告)号：CN118119185A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311610590.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种NAND闪存器件可以包括外围电路，该外围电路包括晶体管、衬底、以及限定衬底的有源区的器件隔离区。晶体管可以包括在有源区上的第一栅极结构。晶体管还可以包括在有源区中并在第一栅极结构的两侧上沿第一方向延伸的源漏区，该源漏区可以包括与第一栅极结构相邻的第一轻掺杂源漏区以及一体地连接到第一轻掺杂源漏区的第二轻掺杂源漏区。第二轻掺杂源漏区可以布置为比第一轻掺杂源漏区更远离第一栅极结构。第二轻掺杂源漏区在第二方向上的宽度可以小于第一轻掺杂源漏区在第二方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN117238917A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310655453.7
申请日：2023-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括：第一隔离结构，延伸穿过基底的上部并限定第一有源区域；第一栅极结构，在基底上；以及第一源极/漏极区域，在与第一栅极结构邻近的第一有源区域的上部处。第一隔离结构包括上隔离图案结构和下隔离图案。上隔离图案结构包括第一隔离图案和覆盖第一隔离图案的侧壁的第二隔离图案。下隔离图案被形成在上隔离图案结构的下方并接触上隔离图案结构，并且下隔离图案的宽度大于上隔离图案结构的宽度。
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公开(公告)号：CN106935508B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201610829464.2
申请日：2016-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了具有栅极的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法包括形成栅电介质、在栅电介质上形成第一导电材料层、在第一导电材料层上形成源材料层、和通过执行热处理工艺将源材料层中包含的第一元素扩散到第一导电材料层中以形成掺杂材料层。
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