公开(公告)号：CN107527912B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201710455899.X

申请日：2017-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金商宽 ,  李知恩 ,  赵诚学 ,  金锡享 ,  申素娟

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底中的源极/漏极区。此外，半导体器件包括在衬底中的凹陷中的栅结构。该栅结构包括衬层，其包括第一部分和在第一部分之上的第二部分。第二部分比第一部分更靠近源极/漏极区。第二部分包括金属合金。形成半导体器件的方法也被提供。

公开(公告)号：CN108472533B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201680073969.9

申请日：2016-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李定根 ,  李多熙 ,  李知恩 ,  洪艺瑟 ,  高光远 ,  蔡英淑

IPC: A63B24/00

Abstract: 一种根据本发明各种实施例的用于提供个性化运动指导的系统，可以包括：可穿戴设备，用于使用一个或多个传感器测量用户的第一生物特征信号，并且用于向电子设备发送所测量的用户的第一生物特征信号；以及电子设备，用于从可穿戴设备接收所测量的用户的第一生物特征信号，用于基于接收的用户的第一生物特征信号获得用户身体数据，用于基于获得的用户身体数据和预设目标来计算所需运动量，以及用于对基于计算出的所需运动量进行估计得到的用户身体数据变化和运动导致的用户实际身体数据变化进行比较和分析。

公开(公告)号：CN108472533A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680073969.9

申请日：2016-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李定根 ,  李多熙 ,  李知恩 ,  洪艺瑟 ,  高光远 ,  蔡英淑

IPC: A63B24/00

Abstract: 一种根据本发明各种实施例的用于提供个性化运动指导的系统，可以包括：可穿戴设备，用于使用一个或多个传感器测量用户的第一生物特征信号，并且用于向电子设备发送所测量的用户的第一生物特征信号；以及电子设备，用于从可穿戴设备接收所测量的用户的第一生物特征信号，用于基于接收的用户的第一生物特征信号获得用户身体数据，用于基于获得的用户身体数据和预设目标来计算所需运动量，以及用于对基于计算出的所需运动量进行估计得到的用户身体数据变化和运动导致的用户实际身体数据变化进行比较和分析。

公开(公告)号：CN106935508A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610829464.2

申请日：2016-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  李知恩 ,  郑磬镐 ,  山田悟 ,  郑文泳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了具有栅极的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法包括形成栅电介质、在栅电介质上形成第一导电材料层、在第一导电材料层上形成源材料层、和通过执行热处理工艺将源材料层中包含的第一元素扩散到第一导电材料层中以形成掺杂材料层。

公开(公告)号：CN106935508B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201610829464.2

申请日：2016-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  李知恩 ,  郑磬镐 ,  山田悟 ,  郑文泳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了具有栅极的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法包括形成栅电介质、在栅电介质上形成第一导电材料层、在第一导电材料层上形成源材料层、和通过执行热处理工艺将源材料层中包含的第一元素扩散到第一导电材料层中以形成掺杂材料层。

公开(公告)号：CN1975517B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610064718.2

申请日：2006-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢水贵 ,  全珍 ,  李知恩 ,  朴商镇

IPC: G02F1/133 ,  G06K11/06 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种通过简单工艺来降低成本价格以及方便地制造的显示基板，包括基础基板、支持图案以及第一与第二突起图案。该显示基板具有触摸屏功能来检测触摸点并在触摸点上与其上形成了多个像素部分以及第一与第二信号线的阵列基板电连接。该支持图案以第一长度形成在基础基板上，并维持其与阵列基板的分隔距离。第一与第二突起图案以第二长度形成在基础基板上，并分别与第一与第二信号线电连接。同时形成突起图案与支持图案，因而简化了制造工艺。

公开(公告)号：CN118280822A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311765917.6

申请日：2023-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金时年 ,  朴志皓 ,  孙朠佑 ,  李知恩 ,  曹永丞

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/308

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在基板上形成有源图案；在基板上顺序形成基底掩模、第一掩模层、第一盖层、第二掩模层、第二盖层、第三掩模层、第三盖层、第四掩模层和第四盖层；形成第一间隔物；形成第二间隔物；形成第三间隔物；以及使用第三间隔物作为掩模来图案化第一掩模层和第一盖层。形成第三间隔物可以包括形成间隔物层以完全填充图案化的第二掩模层的图案的侧壁之间的空间。

公开(公告)号：CN116367532A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211173475.1

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁贤玉 ,  朴孝珍 ,  成豪镇 ,  李知恩 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括其中具有外围区域和单元区域的基底。提供了在外围区域中从基底突出的第一半导体有源图案。提供了在单元区域中从基底突出的第二半导体有源图案。第一半导体有源图案的上部分的第一边缘具有圆形形状，并且第二半导体有源图案的上部分的第二边缘具有圆形形状。第一边缘的曲率大于第二边缘的曲率。

公开(公告)号：CN107527912A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710455899.X

申请日：2017-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金商宽 ,  李知恩 ,  赵诚学 ,  金锡享 ,  申素娟

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/28088 ,  H01L23/528 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底中的源极/漏极区。此外，半导体器件包括在衬底中的凹陷中的栅结构。该栅结构包括衬层，其包括第一部分和在第一部分之上的第二部分。第二部分比第一部分更靠近源极/漏极区。第二部分包括金属合金。形成半导体器件的方法也被提供。

公开(公告)号：CN118475117A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410159295.0

申请日：2024-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金时年 ,  尹柱盛 ,  李知恩 ,  曹河娜

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区域；隔离区域，位于所述有源区域的侧表面上；栅极沟槽，具有与所述有源区域交叉的第一沟槽部分和位于所述隔离区域中的第二沟槽部分；第一栅极部分，位于所述第一沟槽部分内；以及第二栅极部分，位于所述第二沟槽部分内。所述第一栅极部分和所述第二栅极部分均包括：栅极电介质层；栅电极，位于所述栅极电介质层上，部分地填充所述栅极沟槽，并且具有设置在低于所述有源区域的上端的水平高度上的上表面；以及绝缘覆盖图案，位于所述栅电极上。所述第一栅极部分包括下区域、位于所述下区域上的中间区域、以及位于所述中间区域上的上区域。所述中间区域的最大宽度大于所述下区域的最大宽度并且大于所述上区域的最大宽度。