公开(公告)号：CN106935508A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610829464.2

申请日：2016-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  李知恩 ,  郑磬镐 ,  山田悟 ,  郑文泳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了具有栅极的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法包括形成栅电介质、在栅电介质上形成第一导电材料层、在第一导电材料层上形成源材料层、和通过执行热处理工艺将源材料层中包含的第一元素扩散到第一导电材料层中以形成掺杂材料层。

公开(公告)号：CN106935508B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201610829464.2

申请日：2016-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  李知恩 ,  郑磬镐 ,  山田悟 ,  郑文泳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了具有栅极的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法包括形成栅电介质、在栅电介质上形成第一导电材料层、在第一导电材料层上形成源材料层、和通过执行热处理工艺将源材料层中包含的第一元素扩散到第一导电材料层中以形成掺杂材料层。