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发明公开
半导体存储器件审中-公开

公开(公告)号：CN119383976A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202410928851.6

申请日：2024-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵柱盛 , 金准谦 , 金贤慜 , 尹康五 , 尹泽硅 , 李东镇 , 李载德 , 韩智勋

IPC: H10B43/35 , H10B43/40

Abstract: 一种半导体存储器件包括单元结构和电连接到单元结构的外围电路结构。外围电路结构包括：有源区；第一栅极结构，包括与有源区相交并且与有源区接触的第一栅极绝缘层；第二栅极结构，包括与第一栅极结构间隔开并且与有源区接触的第二栅极绝缘层；以及源/漏区，位于第一栅极结构和第二栅极结构之间。第一栅极绝缘层的厚度小于第二栅极绝缘层的厚度。源/漏区包括与第一栅极结构相邻的第一区域和与第二栅极结构相邻的第二区域。第一区域的深度等于第二区域的深度。

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