公开(公告)号：CN1790675A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。

公开(公告)号：CN1482655A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03119603.9

申请日：2003-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  全宗植

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76888 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53223 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成金属膜的方法，包括在衬底的表面、凹槽的底表面和侧壁上形成金属势垒层；在衬底上而不是在凹槽内形成第一金属膜；用氮等离子体处理第一金属膜以形成包括氮的绝缘膜；在位于凹槽中的金属势垒层的部分上形成第二金属膜；以及在衬底、凹槽和绝缘膜上形成第三金属膜。

公开(公告)号：CN1108805A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94115591.9

申请日：1994-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  李明范 ,  洪昌基 ,  金昶圭 ,  郑佑仁

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608

Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。

公开(公告)号：CN101271961B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200810083078.9

申请日：2008-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  姜信在 ,  朴仁善 ,  林炫锡 ,  吴圭焕

IPC: H01L45/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/0623 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/252 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。

公开(公告)号：CN100454515C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN03107338.7

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  李德 ,  全宗植

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。

公开(公告)号：CN1170317C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN98115946.X

申请日：1998-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴仁善 ,  李相旼 ,  朴昌洙

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3162

Abstract: 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时，通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法，例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外，在形成非晶Al2O3层之前，对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层，由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。

公开(公告)号：CN1118871C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN98125263.X

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  金晟泰 ,  李斗焕 ,  许元九

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层，其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面，形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层，填充接触孔。进行第二热处理，用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙，从而防止金属互连中电阻增加。